Министерство науки и образования РФ
САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА...
76 downloads
202 Views
361KB Size
Report
This content was uploaded by our users and we assume good faith they have the permission to share this book. If you own the copyright to this book and it is wrongfully on our website, we offer a simple DMCA procedure to remove your content from our site. Start by pressing the button below!
Report copyright / DMCA form
Министерство науки и образования РФ
САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА
Кафедра "Радиотехнические устройства"
Задания для индивидуальной работы
Методические указания для индивидуальной работы по курсу «Схемотехника электронных средств»
Самара 2004
2
Составитель: И.А. Кудрявцев УДК 531.7.681.2
Задания для индивидуальной работы: Методические указания для индивидуальной работы / Самарский гос. аэрокосмический ун-т. Сост. И.А. Кудрявцев. Самара 2004 12стр.
Методические указания рекомендуются для студентов, обучающихся по специальности 200800 по курсу " Схемотехника электронных средств".
Приведены варианты заданий для индивидуальной работы студентов, изучающих дисциплину " Схемотехника электронных средств".
3 СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………….4 1
ЦИФРОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ... 4
2
СИНТЕЗ КОМБИНАЦИОННЫХ ЛОГИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ............................... 5
3
ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА НА ТРИГГЕРАХ ........................................................ 7
4
СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ........................................................................ 8
4 ВВЕДЕНИЕ
Индивидуальная работа студентов предполагает решение набора задач, посвященных разделам цифровой и аналоговой схемотехники, рассматриваемым в лекционном курсе. Задачи сгруппированы по разделам, в начале каждого раздела приводится образец примерного решения типовой задачи. Решенные задачи необходимо оформить на отдельных листах и сдать преподавателю в течение учебного семестра. Номер варианта определяется порядковым номером фамилии студента в списке учебной группы. 1
Цифровые электронные ключи на биполярных транзисторах
При расчете электронных ключей на биполярных транзисторах необходимо рассматривать два основных аспекта: статический режим ключа и его быстродействие. При этом основными показателями ключа являются: остаточное выходное напряжение на открытом ключе, мощность рассеяния на активном элементе (в статическом и динамическом режимах), длительности переходных процессов (отпирания и запирания ключа). При расчете статического режима необходимо обеспечить надежное запирание транзистора в выключенном состоянии и насыщение в открытом состоянии. Глубина насыщения определяет быстродействие ключа (и мощность цепи управления) и не должна быть чрезмерно большой. Пример: Рассчитать ключ на биполярном транзисторе, предназначенный для включения и выключения светодиода по следующему алгоритму: при наличии на входе ключа напряжения величиной ( U ВХ 1 = 4.5…5В) светодиод светится, при наличии напряжения ( U ВХ 0 = 0…0.5В) - погашен. Изобразить схему ключа и рассчитать параметры принципиальной схемы, если известно, что светодиод светится с достаточной яркостью при токе 10 мА, при этом падение напряжения на нем равно 1В. Источник управляющего сигнала обеспечивает вытекающий ток 0.8мА и втекающий 2мА. Транзистор имеет следующие параметры: β =100, U КЭНАС =1В, I КБОMAX =10 мкА. Считать, что напряжение отсечки равно U БЭОТС =0.7В, напряжение источника питания - 5В.
РЕШЕНИЕ Для решения поставленной задачи выберем схему, представленную на рис. 1. Очевидно, что при высоком уровне напряжения на входе транзистор отпирается и ток протекает через светодиод, при низком уровне напряжения транзистор заперт, ток коллектора равен нулю и светодиод погашен. Расчет схемы сводится к определению номиналов сопротивлений в цепи коллектора и базы. Так как известно, что ток коллектора должен быть равен 10 мА, то для коллекторной цепи можно записать: E = U КЭНАС + I K RK + U VD . Отсюда RK =300 Ом. Рисунок 1 - Транзисторный ключ со светодиодом Для надежного запирания транзистора необходимо выполнение условия: U ВХ 0 + I КБОМАХ RБ < U БЭОТС , откуда
5
RБ
IK
β
. Учитывая
коэффициент запаса (2…3), I Б =0.5 мА, откуда RБ < 7.6кОм . Очевидно, условие насыщения более жесткое, следовательно, из ряда номинальных сопротивлений выберем 7.5кОм. Очевидно, источник сигнала не перегружен (0.5