Проектирование и технология микросхем: Учебное пособие

М. П. Романова ПРОЕКТ ИРОВАНИЕ И ТЕХНО ЛОГИЯ М ИКРОСХЕМ Ульяновск 2005 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Госуд ар...

Author: Романова М.П.

122 downloads 214 Views 794KB Size Report

This content was uploaded by our users and we assume good faith they have the permission to share this book. If you own the copyright to this book and it is wrongfully on our website, we offer a simple DMCA procedure to remove your content from our site. Start by pressing the button below!
Report copyright / DMCA form

DOWNLOAD PDF

М. П. Романова

ПРОЕКТ ИРОВАНИЕ И ТЕХНО ЛОГИЯ М ИКРОСХЕМ

Ульяновск 2005

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Госуд арс твенно е обр азо ва т е льно е учр е жд ение выс ше го про ф ес сион а ль ного обр азо ва ния Ульяно вский государственный т ехнический уни верси тет

М.П. Романова

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОСХЕМ Учебное пособие

Ульяновск 2005

УДК 621.38.049.77(075) ББК 32.844.1я73 Р13 Утверждено редакционно-издательским советом УлГТУ в качестве учебного пособия Рецензенты: директор Ульяновского филиала ИРЭ РАН канд. техн. наук, профессор В. А. Сергеев; канд. техн. наук,профессор кафедры А и РЭО УлВАУ ГА А. В. Ефимов

УДК 621.38.049.77 (075) ББК 32.844.1я73 Р13

Романова, М. П. Проектирование и технология микросхем: учебное пособие/М. П. Романова. - Ульяновск: УлГТУ, 2005. - 83 с. ISBN 5-89146-698-8 Пособие разработано в соответствии с программой дисциплины «Проектирование и технология микросхем». В нем изложены вопросы принципов проектирования и технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. Предназначено для самостоятельной работы студентов, обучающихся по направлению 21.02.01.65. Пособие подготовлено на кафедре «Проектирование и технология электронных средств». Печатается в авторской редакции.

© М. П. Романова, 2005 ISBN 5-89146-698-8

© Оформление. УлГТУ, 2005

3

Оглавление Введение............................................................................................... 5 1. П Р О Е КТ И Р О В А Н И Е П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х М И КР О С Х Е М Н А Б И П О Л Я Р Н О М Т Р АН ЗИ С Т О Р Е .................................................................................... 6 Особенности и преимущества планарной технологии...................... 6 Кремниевые структуры полупроводниковых интегральных микросхем..................................................................................... 7 1.3. Интегральный биполярный транзистор.......................................... . 12 1.4. Интегральные полупроводниковые резисторы................................. . 24 1.4.1. Классификация полупроводниковых резисторов и их характеристики............................................................................. . 24 1.4.2. Расчет диффузионных резисторов................................................... .28 1.4.3. Расчет ширины и длины резисторов............................................... .. 30 1.5. Интегральные полупроводниковые конденсаторы............................. 35 1.5.1. Конденсаторы на основе р-n перехода............................................... 35 1.5.2. Конденсаторы на основе МДП структуры..................................... ... 36 1.6. Интегральные полупроводниковые диоды......................................... 37 1.7. Расчет топологических размеров диффузионных перемычек............ ..38 1.1. 1.2.

2. КО Н СТ Р У КТ О Р С КО - Т Е ХН О ЛО Г И Ч Е С КИ Е О СО Б Е Н Н О СТ И Э Л Е М ЕН ТО В И Н Т ЕГР А Л Ь Н Ы Х С Х Е М Н А М Д П Т Р А Н З И СТ О Р А Х ......................................................................... 40 2.1. 2.2.

Конструкции и основные параметры МДП транзисторов................. .40 Резисторы на основе МДП структур............................................... 45

3. П Р О Е К Т И Р О В АН И Е Т О П О Л О Г И И П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х М И К Р О С Х Е М . . . . . . . .. . . ........ ............. ..................... . 46 3.1. Правила проектирования изолированных областей.......................... . 46 3.2. Правила размещения элементов интегральных микросхем на площади кристалла...........................................................................47 3.3. Разработка эскиза топологии............................................................48 4. Г Е Р М Е Т И З А Ц И Я П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х И М С .......................50 4.1. Требования к защите интегральных микросхем................................... 50 4.2. Конструктивные исполнения бескорпусных БИС................................ 52

4

4.3. Расчет теплового режима ИМС......................................................... 54 ЗАКЛЮЧЕНИЕ................................................................................... 56 Приложение 1. Банк данных топологии интегральных биполярных транзисторов................................................................ 57 Приложение 2. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых интегральных схем........................ 63 Приложение 3. Основные операции технологического маршрута и изготовления структуры ИС на биполярных транзисторах................................................................. 65 Приложение 4. Виды и причины наиболее типичных дефектов на операциях технологического маршрута изготовления полупроводниковых микросхем.................................... 73 Приложение 5. Конструктивно-технологические ограничения при конструировании ИМС на биполярных транзисторах, выполненных по планарно-эпитаксиальной технологии с использованием изоляции р - n переходом.................. .80 Приложение 6. Типичные характеристики интегральных полупроводниковых резисторов.................................... 82 Б ИБ ЛИОГРАФИЧЕСК ИЙ СПИСОК ................................................. 83

5 ВВЕДЕНИЕ Быстрыми темпами развивается элементная база радиотехники и радиоэлектроники. Традиционная радиоаппаратура представляла собой почти исключительно комбинации линейных и нелинейных электрических цепей. Сейчас интенсивно исследуются и внедряются в практику функциональные устройства и системы, производящие обработку сигналов за счет специфических явлений в твердых телах - полупроводниках, диэлектриках и магнитных материалах. Важнейшую роль в современной жизни играют изделия микроэлектронной технологии. Быстродействующие интегральные микросхемы (ИМС) обусловили широкий переход к новым цифровым способам обработки и преобразования радиосигналов, создание новых видов связи, например, мобильной связи. Повышение эффективности производства радиоэлектронной аппаратуры, улучшение её качества и надежности может быть достигнуто лишь на основе широкого применения ИМС. Производство ИМС приводит к существенному уменьшению массы, объема (габаритов ), стоимос ти РЭА, снижению потребляе мой мо щности и повышению надежности. Выигрыш по надежности резко увеличивается с увеличением сложности схемы. Групповая технология ИМС дает также выигрыш по стоимости, который значительно увеличивается с возрастанием степени интеграции (количество элементов в одном кристалле). ИМС часто используют при создании устройств, мало чувствительных влиянию технологического разброса параметров элементов и к изменению температуры. Знание основ микроэлектроники необходимо радиоинженеру для рационального выбора и применения элементной базы при создании новой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Разработка ИМС представляет собой сложный процесс. Вопросы расчета и выбора конкретного технологического процесса создания ИМС решают с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, присущим различным способам изготовления. Предлагаемое учебное пособие является обобщением теоретического и справочного материала, который необходим для расчета и выбора технологии изготовления полупроводниковых ИМС. В нем представлены вопросы расчета интегральных элементов полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах и МДП структурах. Большое внимание уделяется конструктивно-технологическим ограничениям при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Справочная часть пособия содержит пример технологического процесса изготовления полупроводниковых ИМС, а также банк данных биполярных транзисторов. Пособие предназначено для подготовки студентов специальности 2102.0165 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» различных форм обучения.

6 1. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬ НЫХ МИК РОСХЕМ НА Б ИПОЛЯ РНОМ Т РАНЗ ИСТОРЕ 1.1. Особенности и преимущества планарной технологии Особенностью планарной технологии является ее универсальность. Т ехнологический процесс состоит из трех повторяющихся операций (химическая обработка, термическая обработка и фотолитография). Самые разнообразные полупроводниковые приборы и интегральные схемы (ИС) можно создавать изменением только комплекта фотошаблонов и режимов термических процессов. Планарные р-n переходы защищаются от окружающей среды диэлектрической пленкой двуокиси кремния непосредственно в процессе их создания, и защитная пленка двуокиси кремния сохраняется на всех этапах дальнейшего формирования структуры элементов ИС. Эта особенность планарных р-n переходов обеспечивает высокую стабильность их параметров и надежность работы ИС. Планарная технология характеризуется большим разнообразием геометрических конфигураций, высокой точностью взаимного расположения и линейных размеров р-n переходов. Минимальные линейные размеры областей в планарных структурах ИС составляют в настоящее время 1-3 мкм. Высокая стабилизация режимов при проведении термических процессов позволяет получить диффузионные слои толщиной до 0,1—0,2 мкм с разбросом ±10%. Это обеспечивает высокие электрические пара метры планарных приборов и микросхем, повышение плотности упаковки элемен тов в ИС, создание больших интегральных схем (БИС ) и сверхбольших инт егральных схе м (СБ ИС). В настояще е время уже разработаны ИС, содержа щие дес ят ки тыс яч эле ментов на одном кристалле кремния; с плотностью упаковки до 1000 элементов/мм2 , а в бл иж ай ше м буду ще м чи сло эле мен то в н а крис т алле во зра с те т до 150000. При этом достигнуто исключительно высокое быстродействие ИС, характеризуемое временем задержки 0,1 - 0,2 нс на один логический элемент. Особенностью планарной технологии является также использование в ней группового метода изготовления ИС. На одной пластине кремния одновременно изготавливается много ИС. Их число зависит от диаметра пластины и размера площади, занимаемой ИС. После изготовления элементов структур, получения металлической разводки между элементами и металлических контактных площадок для присоединения внешних выводов корпуса ИС пластина кремния разрезается на отдельные кристаллы, содержащие уже только одну ИС. Дальнейшая обработка каждого кристалла (сборка в корпус, присоединение выводов) ведется индивидуально, что увеличивает стоимость процессов сборки ИС по сравнению с другими технологическими процессами. В результате, как показывают оценочные данные, затраты на сборочные операции составляют от 40 до 65% всех затрат на изготовление ИС в зависи мости от степени интеграции. В настоящее время для снижения стоимости сборки также используются групповые методы и в процессах сборки.

7

Групповой метод изготовления ИС - это своего рода интеграция технологических процессов, т. е. объединение н едином времени технологических процессов изготовления сотен и тысяч ИС. Появилась тенденция расширять интеграцию технологических процессов, объединяя их в непрерывный процесс, проходящий в единой реакционной камере или в замкнутой многокамерной системе. Уникальные структу рные параметры и электрические характеристики ИС достигнуты в производственных условиях, характеризующихся исключительно высокой технологической гигиеной, пользованием сложного технологического оборудования, особо чистых химических реактивов. Высокие требования предъявляются к чистоте производственных помещений. В 1 л воздуха должно содержаться не более трех пылинок размером 0,3 мкм и более. В обычныхусловиях число пылинок обычно колеблется от 5000 до 1 000 000 в одном литре воздуха. При возрастании степени интеграции ИС требования к чистоте еще более повышаются. Для обеспечения этих условий создаются специальные системы фильтрации воздуха на основе мощных кондиционеров. Наиболее ответственные технологические участки располагаются в так называемых чистых комнатах, организуемых по принципу « комната в комнате» , что улу чшает герметизацию помещений. Из особых, нестирающихся, материалов должны изготавливаться стены, полы и потолки. Важное значение имеет спецодежда работающего персонала, которая должна быть изготовлена из материалов, не выделяющих пылевых частиц. Требования к производственным условиям при использовании планарной технологии существенно выше тех, которые предъявляются при любом другом технологическом процессе. Учитывая эту особенность планарной технологии, можно отметить, что для повышения выхода годных приборов большое значение приобретает автоматизация технологических процессов, позволяющая минимально уменьшить численность персонала, снизить влияние субъективных качеств операторов, проводящих технологические процессы. 1.2. Кремниевые структуры полупроводниковых интегральных микросхем В производстве ИМС обычно используются полупроводниковые материалы в виде монокристаллических слитков, имеющих форму, близкую к цилиндрической. Размеры слитков зависятот метода их выращивания и типа полупроводникового материала В настоящее время наибольшее развитие получили ИС на основе монокристаллов кремния. Выбор кремния обусловлен высоким качеством пленки двуокиси кремния, получаемой относительно простым технологическим способом. Монокристаллический кремний. Промышленностью выпускается для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов кремний, получаемый методами Чохральского, бестигельной зонной и гарнисажной плавок. Первый метод обеспечивает получение слитков с кристаллографической ориентацией (111) и (100), а два других - с кристаллографической ориентацией (111).

8

Ус ло вно е обо з на ч ен и е м а т ер и а ла включ а е т в с еб я у ка з ан и е н а гр уп пу м арок и ли мар ку кр е мни я (п ер вые ци ф ра и бу ква) , подгр уппу маро к (по с леду ющ а я ци фр а), по с ле ч е го с леду е т н абор бу кв и ц и фр, р ас кр ыва ю щих ме тод по лу че ни я кр е мни я , ти п э ле кт ропро водн ос ти , ле гиру ю щий э ле м ен т , ном ин а л уд е ль ного сопрот и влени я , ди а м е тр с лит ка .

П ри ме ры у с лов н ог о обоз н ач е ни я: 1. 1А5 К ДБ 7 ,5 /0 ,1 — 60 Кремний, полученный методом Чохральского (индекс К) дырочного типа электропроводности (индекс Д), легированный бором (индекс Б), с удельным сопротивлением 7,5 Ом·см, диффу зионный длиной носителей заряда 0,1 мм, диаметр слитка 60 мм. 2. 1А4 КЭФ 5/0,1

Кремний, полученный методом Чохральского, электронного типа электропроводности (индекс Э), легированный фосфором (индекс Ф), с удельным сопротивлением 5 Ом·см и диффу зионный длиной носителей заряда 0,1 мм. 3. 2Б 2 Б КЭФ 25/0,2 -50

Кремний, полу ченный методом бестигельной зонной плавки (индекс БК). 4. 2Г1 ГКЭФ

Кр ем н и й , п о лу ч ен н ый м ет о д о м г ар н и са жн о й п ла в ки ( и н д екс Г К) . Е сли кр ем н ий э лект ро нн о го т и п а э лект ро пр о во дн о сти лег иру ет ся су р ьм ой и ли м ы ш ь яко м , о н о б о з н ач ает ся со о т в ет ст вен н о К Э С и ли К Э М. В ц елях у м ен ьш ен и я з ар яд а , н акап ли ваю щ ег о ся н а г р ан иц е р аз д ела м е жд у по вер хн о ст ью кр ем ни я и ди э лект р ич ески м п о кр ыт и ем и з д вуо ки си кр ем н и я, и у луч ш ен и я т аки м о бр азо м п ар ам етро в э лем ен то в м и кр о сх ем и з го то вляю т ся кр ем ни евые ст р у кту р ы с ко м б и ни ро ван н ым ди э лект р и ко м .

Кре мн и е в ые с т ру кт у ры с ко мби н и р ов ан н ым ди э ле к т ри к о м. Ст ру кт ур ы под об но го ти п а пр ед ст авляю т собо й кр ем ни евые п ласт ин ыпод ло жки то лщ и но й 2 00 - 3 00 м км и ди ам етр о м 40 м м . Под ло жки с п од го то вленно й по вер хн о ст ью , о т веч аю щ ей т р ебо ван и ям т ех но ло г ии и з го т о влен и я м и кро сх ем , по кр ываю т ся п лен кам и ди э лект р и ко в: д вуо ки сью кр ем ни я ( S iО 2) то лщ и но й о т 0,05 до 0 ,3 5 м к м , н и т ри д о м кр ем н и я ( S i3N4) то лщ и н о й о т 0 ,0 5 д о 0 ,35 м км , д ву о ки сью кр ем н и я ( вер х н яя п лен ка ) т о лщ и н ой о т 0 ,5 до 1 м км . П ри ме р у с лов н ог о об оз н ач е н и я ККД 0,8 SiO2 0,05_Si3N4 0,05 SiO2 250 КЭФ 0,01 Кремниевая структура с комбинированным диэлектриком, подложка толщиной 250 мкм из кремния марки КЭФ 0,01, нижняя пленка дву -

9

окиси кремния и средняя пленка нитрида кремния толщиной 0,05 мкм, верхняя пленка дву окиси кремния толщиной 0,8 мкм. Кремниевые эпитаксиальные структуры.

Для производства полупроводниковыхИМС широко используются эпитаксиальные кремниевые структуры. Кристаллическая структу ра эпитаксиального слоя представляет собой высокосовершенный монокристалл. Если слой и подложка изготовлены из одного и того же материала,такая структура называется эпитаксиальной. Если материал слоя отличается от материала подложки, структура называется гетероэпитаксиальной. Пример условного обозначения однослойной эпитаксиальнойструктуры. 5 КЭФ 0,1 60------------200 КЭС 0,01 Кремниевая эпитаксиальная структура диаметром 60 мм,с толщиной эпитаксиального слоя 5 мкм; материал эпитаксиального слоя - кремний марки КЭФ с удельным сопротивлением 0,1 Ом см; толщина подложки 200 мкм, подложка из кремния марки КЭС с удельным сопротивлением 0,01Ом·см. Пример условного обозначения двухслойных кремниевых эпитаксиальных структур

60 5 КДБ 0,03 80 КМД 2Б 50 КЭФ 5 Кремниевая эпитаксиальная структура диаметром 60 мм, с толщиной верхнего эпитаксиального слоя 5 мкм; верхний эпитаксиальный слой из кремния маки КДБ с у дельным сопротивлением 0,03 Ом·см. Подложка толщиной 80 мкм из кремния марки КМД (моносилановый дырочный) группы 2Б. Нижний эпитаксиальный слой толщиной 50 мкм из кремния марки КЭФ с удельным сопротивлением 5 Ом·см. Часто для улучшения параметров элементов полупроводниковых ИМС между эпитаксиальнымслоем и подложкой вводится так называемый скрытый слой. Кремниевые эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями. Пример условного обозначения

60 10 КЭФ 4,5/3,5 КЭС 25 320 КДБ 10 (111) Кремниевая эпитаксиальная структура диаметром 60 мм, с толщиной эпитаксиального слоя 10 мкм; материал эпитаксиального слоя - кремний марки КЭФ с у дельным сопротивлением 4,5 Ом-см; толщина скрытого слоя 3,5 мкм; скрытый слой представляет собой кремний, легированный сурьмой, марки КЭС с поверхностным сопротивлением 25 Ом/кв; толщина эпитаксиальной структу ры 320 мкм; подложка из кремния марки КДБ с у дельным

10

сопротивлением 10 Ом-см и кристаллографической ориентацией в плоскости (111). Кремниевые эпитаксиальные структуры с комбинированным диэлектриком.

Кремниевые эпитаксиальные структуры данного типа имеют на поверхности диэлектрическое покрытие, образованное чередующимися пленками двуокиси (SiO2) и нитрида (Si3N4 ) кремния. Эпитаксиальный слой может иметь толщину15от 0,5 до163 мкм, концентрация примесей в нем может составлять от 1,5·10 до 1,5·10 см-3 . Диэлектрические пленки имеют толщину: нижняя (двуокись кремния непосредственно на эпитаксиальном слое) - от 0,05 до 0,3 мкм, средняя (нитрид кремния) - от 0,05 до 0,35 мкм, верхняя (двуокись кремния) - от 0,5 до 1 мкм. Структу ры диаметром 40 мм имеют общую толщину 200 - 300 мкм. Пример условного обозначения КСКД 0,5 SiO2 0,05 Si3N4 0,05 SiO2 16 2 КЭФ 1 ·10 250 КЭС 0,01 Кремниевая эпитаксиальная структура с комбинированным диэлектриком, подложка толщиной 250 мкм из кремния марки КЭС 0,01, эпитаксиальный слой толщиной 2 мкм из кремния КЭФ с концентрацией примеси 1·1016 см3 , нижняя пленка двуокиси кремния и средняя пленка нитрида кремния толщиной 0,05 мкм, верхняя пленка двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм. Кремниевые гетероэпитаксиальные структуры.

Структуры данного типа представляют собой обычно сапфировую подложку толщиной -250 мкм, на которой выращен гетероэпитаксиальный слой кремния толщиной от 2 до 20 мкм (для кремния n -типа электропроводности) или 0,6; 0,8; 1,2 мкм (для кремния р -типа электропроводности). Кристаллографическая ориентация гетероэпитаксиальных слоев - (100). Диаметр структу р составляет 40 или 60 мм. Пример условного обозначения КНС 0,8 КЭФ 40 60 С 250 Структура типа кремний-на-сапфире (КНС) с гетероэпитаксиальным слоем кремния толщиной 0,8 мкм, электронного типа электропроводности, легированного фосфором с удельным сопротивлением 40 Ом·см. Подложка из сапфира диаметром 60 мм и толщиной 250 мкм. Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией элементов (КСДИ)

Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией элементов микросхем представляют собой подложку из поликристаллического кремния, в которой по

11 заданной топологии размещены области монокристаллического кремния nтипа проводимости, изолированные диэлектриком. Монокристаллические области могут иметь ориентацию в плоскости (111) или (100) и содержать скрытый n+ - слой, имеющий выход на поверхность структуры или расположенный только на дне изолированной области. Условное обозначение КСДИ выражается дробью, в числителе которой первая двузначная цифра означает диаметр структуры в миллиме трах, а последующая двузначная цифра указывает на толщину монокристаллической области в микрометрах, включая толщину n +- слоя, если он содержится в структуре. Последующие буквенные обозначения в числителе указывают на марку монокристаллического кремния и кристаллографическую ориентацию (в круглых скобках). В квадратных скобках указывается наличие скрытого n+-слоя, выходящего на поверхность, и буквой Ф или М обозначается легирующая примесь (фосфор или мышьяк). Если скрытый n +-слой не имеет выхода на поверхность, эти данные располагаются в круглых скобках. В знаменателе дроби первая трехзначная цифра указывает на значение толщины структуры в микрометрах, затем общепринятыми химическими символами обозначается вид диэлектрика и допустимые пределы его толщины в микрометрах. Пример условного обозначения КСДИ 60 25 КЭФ 4.5(111) [n+- M]

300 SiO2 l,5-3,5 Кремниевая стру ктура с диэлектрической изоляцией элементов диаметром 60 мм, толщиной монокристаллических областей 25 мкм из кремния марки КЭФ 4,5 с ориентацией в плоскости (111), содержащая выходящий на поверхность n+-слой, легированный мышьяком. Толщина структуры 300 мкм, монокристаллические области изолированы дву окисью кремния толщиной 1,5 - 3,5 мкм. В технологии производства полевых транзисторов с управляющим переходом металл - полупроводник используется арсенид галлия. Высокое удельное сопротивление нелегированного арсенида галлия позволяет создавать полуизолирующие подложки микросхем. Монокристаллический арсенид галлия. Условное обозначение монокристаллического арсенида галлия включает в себя следу ющую информацию: сокращенное наименование материала (буквы АГ), тип электропроводности (индексы: Э - электронный, Д - дырочный, П - полу изолирующий), обозначение легиру ющего элемента (Т -теллу р, О-олово, С - сера, Ц -цинк), а также гру ппы цифр, указывающих концентрацию основных носителей заряда. При этом первая цифра или группа цифр является множителем, а вторая гру ппа цифр (через дефис) - показателем степени десятичного порядка. Арсенид галлия, выпускаемый для эпитаксиальных структу р, имеет перед условным обозначением индекс Э.

12

1.3. Интегральный биполярный транзистор Для нормальной работы ИМС необходимо, чтобы элементы или группы элементов были размешены в электрически изолированных дру г от друга областях. Эти области должны иметь следующие электрические и физические свойства: напряжение пробоя изоляции более высокое, чем напряжение питания ИМС, малую паразитную емкость, небольшие токи утечки, высокую теплопроводность, близость температурных коэффициентов резисторов (ТКР) изолирующей области и кремниевой подложки, высоку ю радиационную стойкость, малую площадь. Изоляция элементов ИМС в пределах кристалла может быть решена при выполнении курсового проектирования в двух вариантах с помощью обратного смешения р-n перехода или с помощью изолирующего слоя SiO2. Диодная изоляция технически достигается усложнением трехслойной транзисторной структуры (n-p-n или p-n-р) до четырехслойной n-р-nр или р-n-p-n. Изоляция обеспечивается р-n переходом между подложкой и коллекторными областями элементов ИМС. При подаче отрицательного потенциала на подложку изолирующей р-n смещается в обратном направлении и карманы n-типа в которых размещены элементы ИМС оказываются окруженными со всех сторон областью р-типа и изолированными дру г от дру га обратно смещенными р-n переходами, сопротивление которых по постоянному току велико. Характеристики изоляции могут у худшаться за счет паразитных емкостей и токов у течки, особенно при работе на высоких частотах и в тяжелых эксплуатационных условиях. Метод диодной изоляции полу чил широкое распространение. Следующим, более совершенным видом изоляции, является изоляция с помощью слоя SiO2 . Для ее реализации требуется большое число технологических операций. С помощью операции диффузии мышьяка на всей поверхности исходной+ гру пповой пластины n-типа кремния создается тонкий низкоомный слой n - типа. С помощью фотолитографии и последующего травления образу ются каналы глу биной 20 мкм (рис. 1.1, а), на поверхности пластины выращивается тонкий слой SiO2 (около 2 мкм). На слой SiO2 осаждают слой поликристаллического кремния (около 200 мкм), предназначенный в качестве механической основы. После у даления значительной части монокристаллического кремния с помощью шлифовки и полировки получают структуру изолированных карманов n-типа монокристаллического SiO2 , вкрапленных через слой SiO2 в поликристаллический кремний (рис. 1.1, б). Последующая структура интегрального транзистора образуется по планарной технологии с помощью избирательной диффу зии бора для образования базовых областей (рис. 1.1, в) и операции избирательной диффу зии фосфора для образования эмитерных областей и омических контактов к коллекторам (рис. 1.1, г). После избирательного травления поверхностного слоя SiO2 для окон под контакты, операции осаждения металла алюминия (А1) и последующего избирательного травления слоя (А1) образуется схема соединения элементов ИМС (рис. 1.1, д).

Рис. 1.1. Изоляция ИМС с помощью слоя SiO2

13

14

ИМС изготавливается по технологическим процессам, которые определяют типовые структуры в глубь кристалла для всех интегральных элементов Типовые распределения примесей в структуре интегральных биполярных транзисторов (ИБТ) с изоляцией с помощью р-n перехода и с помощью слоя представлены на рис. 1.2 и 1.3. Размеры ИБТ на плоскости кристалла определяются электрическими пара метрами транзистора и должны быть по возможности минимальными, т.к. при этом увеличивается процент выхода годных элементов и степень интеграции проектируемой ИМС. Преобладающее влияние на размеры ИБТ оказывает рабочий ток (эмиттерный) транзистора. Оптимальная площадь эмиттерного перехода SЭопт определяется по формуле 5 ⋅ Wб ⋅ I э ( 1. 1) S ОПТ ≈ q ⋅ Dnб ⋅ n б где Wg - ширина базы ИБТ; Iэ - рабочий ток эмиттера; q- 1,6* 10 -19 Кл - заряд электрона; Dn6 - коэффициент диффузии неосновных носителей (электронов) через базу, который для типовых структур (рис. 1.2 и 1.3) равен 12 см2 /с; n 6 - равновесная концентрация электронов в области базы. Коэффициент диффузии для неосновных носителей определяется по формуле КТ (1.2) Dnб = ⋅ µn q -23 где К=1,38*10 Дж/Кл - постоянная Больцмана; Т - температура в градусах Кельвина; µn - подвижность электронов в базе определяемая в зависимости от концентрации примесей в области базы по графику на рис 1.4. Размеры Sэопт часто оказываются трудно реализуемыми из-за ограничений в возможностях технологических процессов. При получении линейных размеров элементов (b) по планарной технологии b техн оказывается равной 5мкм. По этой причине минимальный размер окна в оксиде для контакта сост авляет 12,5 х 12,5 мкм2 минимальное расстояние от контактного окна до края диффузионной области - 6,25 мкм. Минимальный размер эмиттерной области составляет 25 х 25 мкм2 . При таком размере точность воспроизведения площади эмиттерных областей будет определяться величиной

5 ∆ Sэ ∆b =2⋅ = 2 ⋅ = 0 ,4 = 40% 25 Sэ b

(1.3)

что может явиться причиной значительного разброса в параметрах ИБТ. Поэтому следует считать максимальный рабочий размер эмиттера 25 х 35 мкм. Этот размер является типовым для ИБТ с рабочим током эмиттера до 10-20 мА. Характеристики ИБТ в значительной степени зависят от размеров различных областей транзистора. Необходимо учитывать, что периметр эмиттера определяет токовые характеристики транзистора, площадь эмиттера - частотные характеристики, площадь базы- емкость перехода база-коллектор и

15

Рис. 1.2. Типовое распределение примесей в структуре ИБТ с изоляцией с помощью р-n перехода

Рис. 1.3. Типовое распределение примесей в структуре ИБТ с изоляцией с помощью слоя двуокиси кремния

Рис. 1.4. Зависимость подвижности носителей заряда от концентрации примесей в области базы

16 р асп р ед елен и е со пр о т и влен и е б аз ы, п ло щ ад ь ко лл ект о р а - ем ко ст ь п ер ехо д а ко ллект о р - по д ло жка и по след о ват ельн о е соп ро т и влен и е ко лле кт о р а. В м и кр ом о щ н ых ( до 0,3 м Вт ) и м ало м о щ н ых ( до 3 м Вт ) И М С р аз м ер ы всех об ласт ей т р ан зи ст о р а ст р ем ят с я вып о лн и т ь м и н и м ал ьн ы м и , х о т я э т о и м о жет пр и вест и к сн и жен и ю в ых од а г од н ых и зд ели й . Д ля м и кр о м о щ н ых сх ем н аи б о лее п р иго д н а по ло ско вая ко н ст ру кц и я тр ан з и сто р а ( р и с. 1 .5, а) . Д ля по лу ч ени я м ало г о соп ро т и влен и я ко лле кт о р а п р и м ен яю т т р анз и ст ор ы с у вели ч ен но й кон т акт н о й об ласт ью к ко ллект о р у ( ри с. 1 .5 , б) , м ало г о со п ро т и влен и я б аз ы и высо ко г о коэ ффи ц и ен т а у си лен и я и спо льз у ю т ко н стр у кц ии с д ву м я ко н т акт ам и к б азо во й об ласт и ( ри с. 1 .5 , в) . Мн о г о э м и т т ер н ые т р анз и ст ор ы (р и с. 1 .5, г) пр и м ен яю т во вхо д н ых ц еп ях сх ем тр ан з и ст ор н о- т р анз и ст ор н о й ло г и ки ( Т Т Л) . Ко н ст р у кц и я н а р и с. 1.5 . д и сп о льз у ет ся пр и фор м и р о ван и и д вух и бо лее т р ан з и ст ор о в , и м ею щ и х од и н ако вый по т ен ц и ал н а ко ллект о р е . Т о по ло г и ю м о щ но г о тр ан з ист ор а ( бо лее 3 м Вт ) р аз р аб ат ы ваю т т ак, ч то б ы о б есп ечи т ь м акси м а льн о е о т н ош ен и е п ер и м ет р а э м и т т ер а и ег о п ло щ ад и . Р аз м ер ы б аз о во й об ласт и и об ласт и ко л ле кт о р а И Б Т о пр ед ел яю т ся ч ер ез р аз м ер э м и т т ер н о й об ла ст и с у ч ет о м чи сла б аз о в ых ко н т акт о в и ко н фи г ур ац и и о м и ч еско г о ко н т акт а к ко лле кт о р у . О сн о вн ы м и э ле кт р и ч ески м и п ар ам ет р а м и И Б Т я вл яю т с я: 1) I Э(U Эб) - з ави си м о ст ь т о ка э м и т т ер а о т н ап р яжен и я э м и т т ер -б аз а ( U Эб) ; 2) ко э ффи ц и ен т ы у си лен и я п о то ку в р ежи м е о б щ ая б аз а ( О Б ) - α 0, об щ и й э м и т т ер ( О Э) - β 0 и ег о з ави си м о ст ь в д и ап аз о н е ч аст о т - β(f ) ; 3) U к е н - п ад ени е н ап р яжен и я н а ко ллект о р е в р ежи м е н асыщ ен и я; 4) Uкэпр - н ап р яжен и е п роб о я ко ллект о р а в р ежи м е О Э. З ави си м о ст ь I Э ( U Э б ) о пр ед еляет ся п о фор м у ле ( 1 .4) и п о каз ан а н а р и с.1 .6. Iэ =

2q ⋅ S э ⋅ Dnб ⋅ n6 qUЭU/ КТ ⋅e W6

(1.4)

гд е S Э - акт и вн ая п ло щ ад ь п ер ехо д а э м и т т ер-б аз а, n 6 - ко нц ен т р ац и я э лект р он о в в б аз е, оп р ед еляем ая п о выр а жен и ю ( 1.5) n6 =

ni2 p6

( 1 .5 )

гд е р б - ко н ц ен т р ац и я д ыро к в б аз е, о пр ед еляем ая и з гр афи ка н а р и с. 1 .2 и 1.3 ; n - ко нц ен т р аци я соб ст вен н ых но си т елей з ар яд а в по- 1лу0 пр3 о во д ни ке п ри з ад ан но й т ем п ер ату р е. Пр и Т = 300 К д ля кр ем н и я n i = 1 ,5 *10 см . Для кр ем н и я n i 2 оп р ед еляет ся п о фо р му ле ni2 = 2 ,3 3х 1 0 3 х Т 3 х е 1 , 3 1 / к т ( 1 .6 ) Х ар акт ер и сти ка I Э( U Эб) и м еет явн о выр а жен н о е н ап р яжен и е о т сеч ки U 0 , кот ор о е о пр ед еля ет о щ у т и м у ю п о т о ку и н же кц и ю э ле кт р о но в в б аз у . Н ап р яж е ни е о т сеч ки U0 ор и ен т ир о во ч но о пр ед еляет п ад ен и е н ап р яжен и я пр и пр ям о м вклю ч ен ии н а п ер ехо д е э м и т т ер-б аз а ( U Эб) , ко т оро е д ля И Б Т со ст авляет вели ч ину в п р ед елах 0,6-0 ,7 В.

17

Рис. 1.5. Примеры топологии интегральных биполярных транзисторов

18

Рис. 1.6. Зависимость тока эмиттера ИБТ от напряжения эмиттер-база

Рис. 1.7. Частотная зависимость коэффициентов усиления по току для планарных ИБТ в режиме ОЭ и ОБ

19

Н ап р яж ен и е о т сеч ки о п р ед еляет ся ( д ля ст у п ен ч ат ых п ер ехо д о в) п о фо р м у ле U0 ≈

КТ N ⋅N ⋅ ln D 2 A q n

(1. 7)

гд е N D и N A со о т вет ст вен1 7 н о 3ко н ц ен тр ац и я пр и м еси н а п ер ехо д е . Д ля И Б Т N D = N А = 1 ,8 ·1 0 см п р и Т = 2 9 3 К. Ко э ф фи ц и ен т у си лен и я п о т о ку в р е жи м е п лан ар н ых И Б Т о п р ед е ляет ся как 1

β0

≈

RслЭ 1 Wб 2 + ( ) Rслб 4 α nб

(1. 8)

гд е Rслэ и Rс лб фи кси ро ван ы т и п о вым р асп р ед елен и ем пр и м еси ( ри с. 1 .2 и 1 .3 ) и р авн ы 2 ,5 О м и 2 00 О м ; Nоб - д и ффу з и о н н ая д ли н а н ео сн о вн ых н о си т елей (э лект р о но в) в б аз е и д ля т и по вых И Б Т α п б = 4 м к м . Ко э ффи ц и ен т у си лен и я п о т о ку в р ежи м е О Б р авен α 0 = β 0 /( l + β 0 ) (1. 9) С у вели ч ен и ем р аб оч ей ч асто т ы α0 и β 0 у м ен ьш аю т ся со г ласн о ри с. 1 .7 . Х ар акт ер э т их з ави си м о ст ей в ло г ар и фм и ч еско м м асш т аб е хо р о ш о ап п ро кси м и р у ет ся п р ям ым и с уч ет о м фи кси ро ван н ых ч асто т f Э и f T , м ежд у ко т ор ым и су щ ест ву ет соо т н о ш ени е f T = f Э /( l + m ) , ( 1 .1 0) г д е f Т - ч аст о т а , пр и ко т ор о й м о д у ль ко э ф фи ц и ен т а у си лен и я в сх ем е с О Э р авен 1 (| Р| = 1 ) ; .f Э - ч аст о т а , пр и ко то ро й м о ду ль ко э ф фи ц и ен т а у си лен и я п о то ку в сх ем е с О Б р авен 0 ,7 о т у ро вн я (| α| = 0 ,7 α 0 ) ; вели ч ин а m = 0,4 . Г р ан и чн ая ч асто т а f Э о пр ед еляет ся п о фор м у ле 1 W2 W (1.11) = 2π (rэ ⋅ С э + б + 0б + rкв ⋅ С к ) , 5 Dnб V 0 fэ г д е rЭ = КТ ⋅ 1 , со пр о ти влен и е э м и т т ер а в р ежи м е м ало г о сиг н ала , q I Э0 CЭ = S Э ⋅

ε0 ⋅ ε ⋅ q ⋅ Nб , д и ф фу з ио н н ая ем ко ст ь э м и т т ер - б азо во г о п ер ех о д а 2U

в пр ям о м см ещ ен и и ; W o6 и V 0 - о б ед н ен н ый п од ви жн ым и н о си т еля м и сло й б аз а- ко л ле кт о р но г о п ер ех од а и ско ро ст ь пр о лет а э лект р о н а ч ер ез о б едн ен н ы й сло й Vo =8 ,5 * 1 0 6 см /с) ; r к в и Ск- со пр о т и влен и е ко ллект о р н о го выво д а и ем ко ст ь, со ст о ящ ая из ем ко ст и и з о ли ру ю щ ег о п ер ех од а ко лл ект о р - по д ло жк а и ем ко ст и о б едн ен но г о сло я б аз а- ко ллект о р . Р асч ет соп ро т и влен и я ко лле кт о рн о го вы во д а з ави си т о т ст р у кт ур ы И Б Т . Дл я И Б Т с и з о ляц и ей с по м о щ ь ю р-n п ер ех од а ко лле кт о р но й о б ласт и х ор о ш о м о дели ру ет ся ч ер ез т р ап ец еид альн ые об ласт и и r к в оп р ед еляет ся по фор м у ле ( 1.12) rкв =

1 2 / rk1 + 2 / rk 2

( 1 .1 2 )

20

гд е r k 1 и r k 2 - со пр о т и влен и я тр ап ец еи д альн ых о б ласт ей ко ллект о р а ; Ik − IЭ Wk (bk − bЭ ) bk − b Э rк1 = ρk ⋅ Wk (I k − I Э )

rк1 = ρk ⋅

Р к - у д ел ьн о е со п р о т и в лен и е ко л ле кт о р н о й о б ла ст и д ля т и п о во г о р аспр ед елени я пр и м есей (р и с. 1.2) и со ст авляет р к =0 ,5 О м ·см . Для И Б Т , и зо б р ажен но г о н а р и с. 1 .1 , р аст екан и е то ка в ко ллект о р но й об ласт и пр о и сх од и т по д д ей ст ви ем н и з коо м н о г о сло я. В э то м слу ч ае r к в о пр ед еляет с я по фор м у ле ( 1 .13 ) rкв = rк1 +

1 ⋅rк 2 2

(1 . 1 3)

Wk rк1 = ρr ⋅ ( I Э + Wk ) ⋅( bЭ + Wk ) Wk rк1 = ρr ⋅ ( I k + Wk ) ⋅ (bЭ + Wk )

гд е r k 1 и r k 2 - соо т вет ст вен н о со пр о т и влен и я тр ап ец еид альн о й о б ласт и п од э м и тт еро м и п од ко ллект о р н ым в ыво д о м , a W k - з аз ор м ежд у н и з коо м н ы м з ахор он ен н ым сло ем и вы вод о м ко ллект о р а . Ве ли ч и н а о б едн ен н о го сло я б аз а- ко л лект о р н о го п ер ехо д а о п р ед еляет ся п о фор м у ле Wоб = [ε 0 ε ⋅ (U0 + U КБ )]/(a ⋅ q ) , ( 1 .1 4) г д е ε0 и ε - соо т вет ст в ен н о ди э ле кт р и ч еская п о сто ян н ая ваку у м а и кр ем н и я ( ε = 1 2 ) ; U кб - в н е ш н е е н ап р я ж е н и е н а п ер ех о д е к о л л е к т о р - б аз а ; U * 0 - ко н т а кт н а я р аз н о ст ь п о т ен ц и а ло в н а п ер ех о д е ко лл е кт о р - б аз а, о р и ен ти ро воч но мо жет о пр ед елят ься по фо р м у ле ( ); a=d N /d X- гр ади ен т ко нц ен тр а ци и пр и м есей н а п ер ех од е , оп р ед еляем ый из г р афи ка р и с. 1 .2 и 1.3. Е м ко ст ь об рат но см ещ ен но го п ер ехо д а о пр ед еляет ся п о фор м у ле д ля ем ко сти п ло ског о кон д ен сат ор а ε 0ε ⋅ S n Cn =

Wоб

П о э то й фо р м у ле о пр ед еляю т ся ем ко ст и п ер ехо до в ко ллект о р- б аз а C кб и ко ллект о р - по д ло жка С к п . П ри р асч ет е д ля ст р у кт ур ы с из о ляц и ей р- n п ер ех о д а след у ет у чи т ыва т ь н еод и н ако ву ю вели чи н у об ед н енн о го сло я н а г р ан и ц е п од ло жк а- э п и т акси альн ый сло й и н а бо ко вых гр ан и ц ах з а сч ет и з о лир у ю щ ей д и ф фу з и и . Ве л и ч и н а W об д ля п л а вн о г о п ер е х о д а о п р ед е ля е т с я п о ф о р м у л е ( 1 .1 4 ) , а д л я с т у п е н ч а т о г о к а к ( 1 . 1 5 )

21

где Un - внешнее напряжение на переходе; N - концентрация примесей со слаболегированной областью. В случае изоляции ИБТ с помощью SiO2 (рис. 1.1) паразитная емкость состоит из емкости Скб и емкости изолирующего слоя SiO2 (Сиз), которая определяется

где 8 - относительная диэлектрическая постоянная для двуокиси кремния равна 4, a d - толщина слоя SiO2 составляет 2 мкм. Основным параметром ИБ Т в режиме пере ключения является падение на пряжения на коллекторе при насыщении и для транзистора равно (1.16)

где α i - коэффици ент у силени я в реж име ОБ при ин версно м вкл ючени и (αi = 0,1), Ik и Iв - токи коллектора и базы. Необходимо отметить, что в режиме насыщения величина (Ik/ (β·I·S) < 1. Электрическая прочность ИБТ определяется электрической прочностью рабочих р-n переходов, а также комбинации переходов. Напряжение пробоя определяется величиной концентрации примесей в обедненном слое Nоб. При расчете электрической прочности перехода принимают во внимание лишь концентрацию примесей на переходе со стороны слаболегируемой области. Зависимость Uпрк-б от Nоб для ступенчатого кремниевого перехода показана на рис. 1.8. Для плавного перехода, который характеризу етс я гради енто м концен трации при меси в обедненно м сло е (а= dN/dX), зависимость пробивного напряжения от величины «а» показана на рис. 1.9. Пробивное напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ пр зависит от внешнего сопротивления в цепи база-эмиттер RбЭ и определяется как

где Uкбпр- пробивное напряжение перехода коллектор-база. После выбора физической структуры выбирают конфигурацию транзистора. Поскольку характеристики в значительной степени зависят от размеров различных областей транзистора, нужно учитывать, что периметр эмиттера определяет токовые характеристики транзистора, площадь эмиттера - частотные характеристики, площадь базы - емкость перехода база - коллектор и распределенное сопротивление базы, площадь коллектора - емкость перехода коллектор - подложка и последовательное сопротивление коллектора

22

Рис. 1.8. Зависимость электрической прочности перехода коллектор-база от концентрации примесей в обедненном слое для ступенчатого перехода

Рис. 1.9. Зависимость электрической прочности перехода коллектор-база от градиента концентрации в обедненном слое

23

В мало мо щных (0 ,3< Р NА , т.е. когда концентрация доноров значительно больше концентрации акцепторов, справедливо выражение ρv≈ ρnV=(enn µn) -1 Аналогично при NA >> NД ρv≈ ρρV=(enρµρ)-1 Так как S = Хднф*b, где Хднф - глубина (толщина) диффузионного слоя, являющегося телом резистора, a b - ширина тела резистора, то для диффузионного резистора можно записать (1.18) где ρv- среднее удельное объемное сопротивление диффузионногослоя; 1и b длина и ширина участка поверхности, на котором проводилась диффузия. Отношение pv /Xдиф обозначим через ps, где ps - сопротивление участка диффузионного слоя определенной толщины, заключенного между противоположными сторонами квадрата.Размерность ps - Ом иусловно размерность ps обозначают как Ом/. Тогда (1.18) перепишем как (1.19) Таким образом, чтобы задать R, необходимо задать значения ps, I, b. Запишем выражение для среднего у дельного объемного сопротивления диффузионногослоя (легированного примесью р-типа) Pv=[eµ(N)·N(x)] -1 , (1.20) где µ(N) - усредненное по концентрации примеси значение подвижности; N(x) - усредненное по толщине диффу зионного слоя значение концентрации примеси. Подсчитаем выражения µ(N) N(x)

µ(N) может быть аппроксимировано выражениями (1.21) по рис. 1.11 µ(N) = µp0 при N≤N1 (1.21)

29

Для типовых транзисторных структур Nk = N1 =1.5*1015 см-3, NSδ =5*1018 см-3

С учетом выражения для N(x), получаемого при базовой диффузии

или

или

Поскольку

N(X) примет окончательный вид

Подставляя (1.21 и(1.22 ) в(1.20), полу чаем Тогда

30

Для базовой диффузионной области

1.4.3. Расчет ширины и длины резистора Исходными данными для определения геометрических размеров резистора являются: номинал R и допуск на номинал γR = ∆R/R, у дельное поверхностное сопротивление ps, средняя мощность рассеяния Р, допустимая мощность рассеяния P 0 = 1-5 Вт/мм2, минимальный габаритный размер резистора, определяемый разрешающей способностью технологии, температурный диапазон работы резистора: ТМAX и ТМIN, а также другие конструкторско - технологические ограничения и рекомендации для проектирования. В соответствии с номиналом R выбирается определенная конфигурация резистора. Для высокоомных резисторов (1-10 кОм) рекомендуются конфигу рации, приведенные на рис. 1.12, а,б, для низкоомных резисторов (50 -200 Ом) - конфигу рация, показанная на рис.1.12,г, для резисторов с номиналом от 200 Ом до 1 кОм - конфигу рация, соответствующая изображенной на рис. 1.12, в. Расчет резисторов начинают с определения ширины резистора. За расчетное значение ширины резистора bрас принимают наибольшее значение из значений (b=техн, bточн, bp}, где bтехн - минимальная технологическая ширина резистора. bтехн > (4-5) мкм; bР - ширина, определяемая мощностными характеристиками резистора; b определяют в соответствии существующими допусками. Такимобразом, bр> = {bтехн,bточн,bР}. Полная относительная погрешность величины сопротивления определяется суммой погрешностей γR=γКФ+γps+γT, чтосоответственноважно представить как где

КФ -

коэффициент

формы резистора,

определяемый

как

ест ь о тн о си т ельн ая п ог р еш н о ст ь ко э ффи ц и ен т а фор м ы р ез и ст ор а ; γ p S = ∆R/R - о тн о си т ельн ая по гр еш н о ст ь во сп ро и з вед ен и я уд ельн о го по вер хн о ст но г о со пр о ти влен и я (д ля т ип о вых т ехн о ло ги ч ески х пр о ц ессо в п лан ар но - эп и т акси альн о й т ехн о ло ги и о н а о б ычн о со ст авля ет 0 ,0 5- 0 ,1 ; αR- т ем п ер ату рн ый ин т ер вал р або т ы р ези ст ор а , о пр ед еляем ый ка к ∆Т = T MAX - TMIN, о т но си т ельн ая т ем п ер ат ур н ая п о гр еш н о ст ь γ т = αR * ∆ T . Н ахо д ят о т но си т ельн у ю по г р еш но ст ь ко э ффи ц и ен т а фо р м ы

31 после чего определяют (1.26)

где ∆b и ∆l- - абсолютные погрешности ширины и длины резистивной полоски, обусловленные точностью технологического процесса. Обычно эти погрешности составляют 0,05 - 0,5 мкм. Ширина, определяемая мощностны ми характеристи ками резистора, находится из выражения (1.27)

Таким образом, из трех значений bтехн, bточн, bp наибольшее и будет bрас Далее определяют топологическую ширину резистора b топ ,так как ее значение используется при проектировании топологического чертежа. Однако при определении bтоп, учитывают изменения спроектированных размеров после изготовления резисторов (у реального резистора ширина больше, чем у спроектированного), а также возможность упрощения самой процедуры проектирования, в частности, bтоп =bрас - 2(∆ трав + ∆у), где ∆ трав - погрешность, вносимая растравливанием окон перед диффузией, в процессе фотолитографии; ∆у - погрешность, вносимая уходом диффузионного слоя под маскирующий окисел в боковые стороны; ∆ трав = 0,1-0,3 мкм; ∆у = 0,5-0,7 мкм. Окончательно за b топ принимаются ближайшие к вычисленным целые значения, кратные шагу координатной сетки. Чтобы макси мально уменьшить погрешнос ть номинала резистора, определяют реальную ширину резистора bреал= bтоп +2(∆ трав + ∆у). После этого определяют расчетную длину резистора (1.28)

lрас bреал* ( КФ-nК ) , =

(1 .2 8 )

где n - количество контактных окон у резистора, обычно n = 2; К- поправочный коэффициент, учитывающий сопротивление, обусловленное растеканием электричес кого тока у конта ктных областей резистора. К определяется из номограмм K(L1 / b), K(L2 / b), K(b/L2 ) при заданных соотношениях L1 :b и L1 :L2 на рис. 1.12,а - г соответственно для иных конструкций контактных областей резисторов; L1 и L2 - размеры контактных областей (рис. 1.13 и 1.14). Если резистор изогнут, либо имеет форму меандра, то его расчетная длина определяется из соотношения

гд е Nизг - ко лич ест во и з г ибо в р ез и сто р а п од у г ло м π /2; n- ч и сло ко нт акт н ых о ко н

32

Рис. 1.13. Значения коэффициентов К для расчета высокоомных диффузионных резисторов

33

а

б

Рис. 1.14. Значения коэффициентов К для расчета низкоомных диффузионных резисторов

34

резистора одинаковой конфигурации (обычно n > 2, если имеется соединение двух или более тел резисторов), К - поправочный коэффициент, учитывающий сопротивление растекания у контактной пластины, который находится аналогично ранее описанному из рис. 1.12, 1.13, 1.14, где i - номер контактного окна. Для проектирования топологического чертежа определяют топологическую длину резистора (1.30) L топ = lрас+2(∆трав +∆у),

(1.30 )

при этом погрешность изготовления резистора увеличивается, та к как реально полученный резистор будет иметь меньшую длину, чем спроектированный. Окончательно за lТОП принимаются ближайшие к вычисленным целые значения, кратные шагу координатной сетки, что упрощает проектирование топологии резисторов. Реальная длина резистора определяетс я из соотношения 1 р еа л = 1 ра с-2 ( ∆трав+ ∆у )

После определения топологических размеров резисторов проводят поверочный расчет, пользуясь критерием γR > γR реал , т.е. если заданная погрешность номинала резистора больше реальной, то расчет выполнен правильно, если неравенство не выполняется, то расчет топологических размеров следует провести заново. Для определения γRреал резисторабез изгибов надо найти (1.31)

а для резистора в виде меандра с n =2

35

1.5. Интегральные полупроводниковые конденсаторы В качестве конденсаторов полупроводниковых ИМС чаще всего используются обратносмещенные р-n переходы. Кроме них применяются структуры типа металл - диэлектрик - полупроводник (МДП), в том числе и в биполярных микросхемах. На рис. 1.15. представлены структурытаких конденсаторов.

Рис. 1.15. Структу ры конденсаторов полу проводниковых ИМС на основе переходов Э-Б (а), К-Б (б), К-П (в) и параллельно включенных переходов Э-Б и К-Б (г) 1.5.1. Конденсаторы на основе р-n перехода

Исходными данными для расчета конденсаторов на основе р-n перехода являются: необходимое значение емкости С и допуск на него АС; рабочее напряжение U, В; интервал рабочих температу р AT °C; рабочая частота f, Гц; основные технологические и конструктивные ограничения. При расчете необходимо выбрать тип и констру кцию конденсатора, определить его геометрические размеры, занимаему ю площадь. На рис. 1.15, а-г представлены структуры конденсаторов полу проводниковых ИМС. Емкость диффу зионного конденсатора прямоу гольной формы на основе обратно смещенного р-n перехода может быть представлена в виде С= Сдоп+ Сбок= C0ab+ C0б(а + b)хj, (1.33) где С0 и С0б - удельные емкости донной и боковых частей р-n перехода; a, b и xj - геометрические размеры р-n перехода. Соотношение слагаемых зависит от отношения а/b. Оптимальным является отношение а/b =1, при этом доля « боковой» емкости, оказывается минимальной. Для курсового проектирования достаточно определить C0 и C0б. По заданным значениям С, C0, C0б, xj находят геометрические размеры конденсатора квадратной формы; если для топологии ИМС требуется конденсатор прямоу гольной формы, то один из размеров прямоу гольника выбирают, исходя из конструктивных соображений. Расчет еще более у прощается, если значением Cбок можно пренебречь. Для расчета АС необходимо у честь погрешности технологии при выполнении геометрических размеров диффузионных слоев и отклонения емкости от номинального значения за счет изменения температу ры.

36

1.5.2. .Конденсаторы на основе МДП структуры

На рис. 1.16 показана структура МДП конденсатора. Одной из обкладок является n +- слой 1 толщиной 0,3 ...1 мкм, другой - слой металла (алюминия) 2, а диэлектриком - слой 3 диоксида кремния.

Рис. 1.16. Структура МДП транзистора Такой конденсатор применяют в полупроводниковых микросхемах при незначительном усложнении технологического процесса (требуются дополнительные операции литографии и окисления для создания слоя 3). Слой 1 формируется с помощью той же операции легирования, что и эмиттеры биполярных транзисторов или истоки и стоки n-канальных МДП транзисторов. Топологическая конфигурация конденсатора - квадратная или прямоугольная. Для увеличения удельной емкости толщина d слоя 3 выбирается минимально возможной исходя из условия отсутствия пробоя: d ≥ Uпроб/Eпроб , где Eпроб есть электрическая прочность слоя 5, т. е. напряженность электрического поля, при которой начинается пробой (около 600 В/мкм). Поэтому максимальная удельная емкость С0 = ε0εд/d = ε0 εд Епроб /Uпроб . Например, при Uпроб =50В получаем С0 = 4·10 -4 nФ/мкм2 . На рис. 1.16, б приведена эквивалентная схема конденсатора, где r - сопротивление слоя 1, Cпар - паразитная емкость между слоем 1 и подложкой (барьерная емкость изолирующего р-n перехода), которая в 4 ... 7 раз меньше полезной емкости С. Если обкладка 1 в схеме не соединена с общей шиной микросхемы, то высокочастотный сигнал, проходящий через конденсатор, ослабляется емкостным делителем в (1 + С пар /С) ≈ 1, 15 ... 1, 25 раза. Сопротивление r определяет добротность на высокойчастоте: Q = (2πC·r·f)-1. При квадратной конфигурации r ≈ 2 Ом, тогд а для С = 10 пФ и f = 10 МГц имеем Q = 750. На более высоких частотах из-за скин-эффекта r возрастает. Так ка к толщина скин-слоя 6 ~ 1/VF, то r ~Vf и Q ~ f -3/2 , т.е. добротность уменьшается быстрее, чем по закону 1/f. Например, на частоте 1 ГГц получаем r =20 Ом и Q = 0,75. Поэтому МДП- конденсаторы неприменимы в диапазоне СВЧ. В этом случае надо использовать тонкопленочные конденсаторы. В отдельных случаях в качестве конденсаторов в полупроводниковых микросхемах на бипо-

37 37

лярных транзисторах применяют р-n переходы. Такие конденсаторы могут работать только при одной полярности приложенного напряжения (обратном напряжении на р-n переходе). Добротность мала как на низких частотах (из-за влияния обратного сопротивления р-n перехода), так и на высоких (сопротивления обкладок больше, чем в структуре рис. 1.16, а). 1.6. Интегральные полупроводниковые диоды Банк данных диодных структур, выполненных по планарно-эпитаксиальной технологии, представлен на рис. 1.17 и рис. 1.18.

Рис. 1.17. Банк данных о топологии интегральных диодов на переходе Б-К (а, б) Диоды, сформированные на основе перехода эмиттер - база (рис. 1.18, в), характеризуются наименьшими значениями обратного тока за счет самой малой площади и самой узкой области объемного заряда. Обычно структурам диодов соответствуют обратные то пределах (0,1 50,0) мА. Наименьшей паразитной емкостью (~1,2пФ) также обладают диодные структуры на основе перехода эмиттер база. Для других структур значение паразитной емкости порядка 3 пФ. Быстродействие диодов кроме паразитной емкости характеризуется временем восстановления обратного сопроРис. 1.18. Банк данных о топологии тивления, т. е. временем переключения диода из открытого состояния в задиодов на переходе Б-Э (в) крытое. Оно минимально (около 10 нс) для перехода эмиттер - база при условии, что переход коллектор - база замкнут, так ка к при такой диодной структуре заряд накапливается только в базовом слое. В других структурах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе и вре мя восс тано вления обратного сопротивл ения сост авл яет 50 -100 нс.

38

Из анализа параметров диодов можно заключить, что диод на основе транзисторной структуры с замкнутым переходом база - коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, поскольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Диод на основе перехода эмиттер - база применяют в цифровых схемах в качестве накопительного диода. Диоды с замкнутым переходом база - эмиттер и диоды на основе перехода база - коллектор, имеющие наибольшие напряжения пробоя, могут быть использованы в качестве диодов общего назначения.

1.7. Ориентировочный расчет топологических размеров диффузионных перемычек Диффузионные перемычки (т.е. низкоомные резисторы), как было отмечено ранее, реализуются при эмиттерной диффузии в n + - слое (рис. 1.10, б), поэтому исходными параметрами для ориентировочного расчета будут параметры эмиттерного слоя p Snep = 2 Ом/а (табл. 1.1) и Rnep ≤ 1 Ом. Кроме того, при эскизной прорисовке топологии известно, что по длине перемычки надо разместить на ее изолированной поверхности в одном случае одну проводящую дорожку (рис. 1.19, а), а в другом - две дорожки (рис. 1.19, б). Поэтому ориентировочный расчет начинают с определения топологической длины перемычки из учета минимальной ширины проводящей дорожки, которая равна 4 мкм, минимального расстояния между проводниками а, которое также равно 4 мкм. Таким образом, если надо провести одну проводящую дорожку, то длина перемычки lпер = 4 + 2·а = 4 + 2·4 = 12 мкм. Если надо провести две проводящих дорожки, то lпеp = 2 · 4 +3·а = 8 +12 = 20 мкм. Далее определяют коэффициент формы перемычки

Если lпер известна (для двух случаев - 12 мкм и 20 мкм соответственно), то b пер легко определи ть, з на я KФ, т.е. b пер = lпер / KФ. Сл едовател ьно, b пер = 12 / 0,5 = 24 мкм (если нужно провести через перемычку одну дорожку) и b пер = 20/0,5 = 40 мкм (если надо провести через перемычку две проводящие дорожки). Форма контактных окон перемычек выбирается аналогично форме, приведенной на рис. 1.13, б. Подобным образом проводится ориентировочный расчет для определения топологических размеров перемычек с учетом развязки от пересечений и более двух электропроводящих дорожек.

Рис. 1.19. Топол огия перемыч ки для случ ая, когда н ад ней прохо дит одна дорожка (а) и когда пр оходят д ве дорожк и (б)

39

40

2. КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НАМДП ТРАНЗИСТОРАХ 2.1. Конструкции и основные параметры МДП транзисторов МДП транзисторы относятся к у ниполярным приборам, т.е. принцип их действия основан на использовании только основных носителей заряда. По основному признаку - способу формирования канала - различают МДП транзисторы с индуцированным каналом (канал между истоком и стоком появляется (индуцируется) под действием напряжения на затворе) и со встроенным каналом (канал между истоком и стоком заранее выполнен (встроен) с помощью диффу зии). По типу электропроводности канала различают n-канальные и р-канальные транзисторы. Полупроводниковая область, от которой начинается дрейф основных носителей заряда, называется истоком, а область, к которой под действием поля движутся (дрейфуют) носители - стоком. Область, где осу ществляется дрейф носителей заряда и амплиту дная модуляция дрейфового тока, называется каналом. Металлическая или полу проводниковая область, используемая для создания модуляции дрейфового тока, называется затвором. Наконец, подложка является конструктивной основой МДП транзистора. Конструкции МДП транзисторов представлены на рис. 2.1. Показаны также области транзисторов и знаки подаваемых напряжений. В МДП интегральных схемах МДП транзистор является основным и единственным элементом. Он может выполнять функции активных приборов (ключевой транзистор в инверторе, усилительный транзистор) и пассивных элементов (нагру зочный транзистор в инверторе, конденсатор в элементе памяти). Нагру зочные МДП - элементы используют в составе ИС в качестве резисторов. Необходимый номинал сопротивления достигается конструктивно - выбором размеров канала и схемотехнически - подачей на затвор потенциала определенной величины. В качестве конденсаторов в МДП -транзисторе могут быть использованы емкости обратносмещенных р-n переходов Сии и Сси, а также емкость МДП конденсатора Сзи. На рис. 2.2 изображен р-канальный МДП транзистор с индуцированным каналом, здесь же показаны его основные констру кторские параметры: d толщина подзатворного диэлектрика, L - длина канала, Z - ширина канала. Остальные конструкторские параметры (размеры затвора, истока и стока, толщины истока и стока и т.д.) являются вспомогательными и определяются при проектировании по технологическим ограничениям на размеры МДП - структуры. К основным электрическим параметрам и характеристикам МДП транзисторов относятся: 1) выходная вольт-амперная характеристика (ВАХ) Jc(Uc) при U= const (стоковая ВАХ) (рис. 2.3); 2) переходная ВАХ (стоко-затворная) Jc(Uc) при U3= const, (рис.2.4); 3) пороговое напряжение U0 , В - минимальное напряжение на затворе (для р-канального транзистора оно отрицательное), при котором возникает ток меж-

41

ду истоком и стоком, т.е. образуется канал. Этот параметр имеет место только для МДП транзисторов с индуцированным каналом;

Рис. 2.1. Конструкция МДП транзистора: n - канальных (а, б); р - канальных (в, г); с индуцируемым каналом (а, в); со встроенным каналом (б, г); И - исток, С - сток; 3 - затвор; К - канал ; П - подложка

И

3

С

Рис. 2.2. Конструкция р - канального МДП транзистора

42

Рис.2.3. Выходная ВАХ р - канального МДП транзистора с индуцированным каналом. Области ВАХ: 1 - активный режим, 2 - режим насыщения, 3 - пробой

Рис. 2.4. Стоко-затворная ВАХ р - канального МДП транзистора с индуцированным каналом

Рис. 2.5. Зависимость порогового напряжения от d и Nд

4) вход но е со про т и влени е R B X , МО м ; 5)п ар аз и тн ые м ежэ лект ро дн ые ем кост и С з п С з и, С зс , С с п , С и п , С и с , п Ф ; 6) кру т и з н а ст о ко - з ат во р но й х ар акт ер и сти ки

43

7) ко э ффи ц и ен т у си лен и я 8) со п ро т и влен и е кан ала 9) уд ельн ая и ли но р м ир о ван н ая кр у т из н а гд е ц - по д ви жно ст ь но си т елей з ар яд а в кан але ; С 0 З = ε ε 0 µ /d- у д ельн ая ем ко ст ь з ат вор а. ε- о т но си т ельн ая ди э лект р и ч еская пр он и ц аем о ст ь м ат ери ала п од з ат вор но го ди э лект р и ка ; Ε - э лект ри ч еская п ост о янн ая вакуу м а . П ар ам ет р ы (2 .1) - ( 2.3) вз аи м о связ ан ы: K = S*R k (2.5) 10) τS- по ст о янн ая вр ем ен и кан ала , х ар акт ер из у ю щ ая и н ер ц ио н но ст ь R- C си ст ем ы τS = R k · CЗ , г д е C З - по лн ая ем ко ст ь з ат вор а, CЗ = L · Z ·ε0ε / d ; 10) f гр - гр ан и чн ая ч аст о т а , х ар акт ер из у ю щ ая п р ед ельн ые ч аст о т н ые во з м о жно ст и тр ан зи ст ор а . О б ласт ь 1 в ых о д но й ВА Х ( р и с.2 .3 ) н аз ы вает ся а кт и вн о й об ла ст ью р аб о т ы т р ан з и ст ор а , о б ласт ь 2 - об ласт ь ю н асыщ ен и я, о б ласт ь 3 - о б ласт ью п ро бо я. Для о б ласт и 1 ВА Х з апи ш ет ся ка к

Для о б ласт и 2 ВА Х о п и сывает ся у р авн ени ем Зн ач ени е кру т и з н ы S д ля об ласт и 2 ВА Х

44

Отсюда следует взаимосвязь крутизны (2.8) и нормированной крутизны (2.4): Из (2.9) следует, что в отличие от нормированной крутизны b крутизна S зависит от электрического режима работы транзистора (от Jc). Выражение для коэффициента усиления К можно получить, выразив К через крутизну и емкость затвора

где е - заряд электрона, а Nд - концентрация донорной примеси в подложке. Сопротивление канала для области 2 ВАХ Используя понятие τS , получим выражение для постоянной времени транзистора Зная ΤS, можно вычислить граничную частоту транзистора: Величина порогового напряжения U0 зависит от материала и толщины подзатворного диэлектрика d, от материала и степени легирования подложки (Nд, для р-канального МДП-транзистора). Эта зависимость показана на рис. 2.5 для наиболее характерного слу чая, когда диэлектриком служит SiO2, а материалом подложки является кремний. Величина порогового напряжения зависит также от кристаллографической ориентации поверхности полу проводниковой пластины, в которой выполнен МДП транзистор. Чаще всего используют пластины с ориентацией (100). Именно для этого случая и приведены графики зависимости U0(d,Nд) на рис. 2.5. При констру ировании МДП транзисторов задаются параметрами S, τs или f гp . Далее находят конструкторские параметры транзистора (Z, L, d). Пассивные элементы в МДП - ИС выполняются на базе МДП структур (емкостные и резистивные элементы). Такие МДП транзисторы называются нагрузочными, а МДП транзисторы, работающие в активном режиме, являются усилительными приборами и могут быть использованы в качестве ключевых схем.

45

2. 2. Р ез и с тор ы н а ос н ов е М ДП тр ан з и с тор а В ИМС на основе МДП транзисторов в качестве резисторов обычно использу ются сами МДП транзисторы. Сопротивление слоев диффу зионных областей в р-канальных транзисторах RS обычно равно 50-150 Ом/, в то время как у дельное сопротивление слоев канала составляет десятки килоом на квадрат. Это позволяет су щественно уменьшить площадь, занимаему ю резистором. При использовании таких резисторов МДП транзистор включается по схеме с общим стоком. На стоке поддерживается напряжение ЕС, а на затворе E3 - Различают два слу чая: |E3-U0 |≤ |ЕС| и |E3 -U0 |> |ЕС|. В первом МДП транзистор работает в пологой области ВАХ, во втором в - кру той. Используя выражения (2.13) и (2.14),

b=εд ·ε0 ·µр ·Z /(Ldд ) , (2.14 ) а также выражение для дифференциального сопротивления транзистора Ri на крутом участке Ri= [b·| Uзи-U0-Uсн|] -1

(2.15)

и выражение для сопротивления канала R0 при | Uси| Т °доп , то необходимо выбрать другой корпус или предусмотреть радиатор, который может быть выполнен на. печатной плате. Источниками тепла в ИМС являются транзисторы, диоды, резисторы, выделяемая мощность ΣPi в которых определяется при расчете схемы по постоянному току. Тепловые потоки развиваются от источников тепла и могут иметь разные пути (рис.4.1). Анализируя эти потоки, можно выделить основные, которые будут определять тепловую модель конструкции (рис. 4.2). Так., например, потоком Рв2 во внутренний газовый объем можно пренебречь из-за малого градиента температур в объеме корпуса и плохойтеплопроводности малого замкнутого воздушного объема. Основными можно считать потоки: -от источников в ножку корпуса (Рк и Рn); -от центра на периферию ножки корпуса (Рn), - с поверхности крышки в окружающее пространство(РА). Исходя из главных потоков, учитывая высокую теплопроводность кремния и малый градиент температур внутри кристалла, ИМС тепловая модель констру кции будет иметь вид, представленный на рис. 4.1. Источники тепла и их температура соответственно обозначены через Pi и T°i] .Температура основания кристалла, центра ножки корпуса, крышки корпуса и окружающей возду шной среды обозначены соответственно через Т°0 , Т°i,T°k и Т°А. Тепловые сопротивления (отношение разности температур к скорости теплового потока, по аналогии с электросопротивлением) от источника через ограниченный объем кристалла в основание (рис. 4.2) от основания кристалла через соединительный слой в ножку корпуса и от крышки в окружающее пространство обозначены,соответственно, через RTi, RTП, RTН, RTК.

55

Рис. 4.1. Основные тепловые потоки ИМС, учитываемые при расчете тепловой модели

Рис. 4.2. Упрощенная тепловая модель

56

Расчет тепловых сопротивлений выполняется по формулам

где (h, λ, S)к - соответственно, толщина, коэффициент теплопроводности материала и площадь кристалла; (h, λ, S)n -те же параметры, но для соединительного слоя (припоя); λ, С, D, d - соответственно коэффициент теплопроводности материала ножки корпуса (ковар), его толщина, диаметр крышки корпуса и приведенный диаметр ИМС; a, SK, h -соответственно коэффициент теплоотдачи на конвекцию и излучение с поверхности крышки корпуса, площадь этой поверхности и высота корпуса (ориентировочно а =10 Вт/м2 ·°С). Максимальная температура элементов ИМС определяется по формуле Ti max = TAMAX + (Rтк + Rтп + Rтн + Rтк-А)·=·Σpi , где ΣPi - суммарная мощность, выделяемая ИМС. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В уч еб но м п о со б ии , в д о сту п но й д ля сам о ст о ят ельн о й р або т ы фор м е, и з ложен ы во п ро сы р асч ет а и ко н стр у иро ван и я по лу пр о вод н и ко вых и н т егр альн ых м и кр о сх ем . Пр ед ст ав лен ы сп р авоч н ые д ан н ые п о т ех н о ло г и и и з го т о влен и я И М С, т аб лиц ы и г р афи ки , ч то по з во ляет со кр ат и т ь вр ем я н а р асч ет и р аз р аб о тку и н т егр альн ых м и кр о сх ем . Дан н о е уч ебн о е по со би е мо жет б ыт ь и спо льз о ван о ст уд ен т ам и д ля сам о сто ят ельн о й р або т ы и пр и вып о лн ен и и ку р со во го пр о ект а по ди сц и п ли н е « П ро ект ир о вани е и т ех но ло г и я ин т ег р альн ых м и кро сх ем » .

57 Приложение 1 Банк данных о топологии интегральных биполярных транзисторов

Рис.П. 1,а

Рис. П. 1,6

58 Продолжение 1 приложения 1

Рис. П.1,в

Рис. П. 1, г

Продолжение 2 приложения 1

59

Рис. П.1,д

Рис. П.1, е


Рис. П.1,ж

Рис. П. 1,з

Продолжение 4 приложения 1

Рис. П.1, к

61


Рис. П.1, м

63 Приложение 2. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых интегральных схем

Рис. П.2.1. Структура базового элемента интегральной схемы типа 155 ЛАЗ Таблица П2.1 Сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС Элементы структуры

Подложка из монокристаллического кремния Скрытый слой

Тип Основные Толщина прово- технологические элементов димо- материалы (мкм) и её сти обозначение

Р

Очищенный монокристаллический Si, легирующая примесь

Удельное поверхностное сопротивление, Ом/

Н1=325±25

-

25±5

n

Сурьма кристаллическая

Н2=3,5±0,2

Эпитаксиальный слой

n

SiCl 4 и Н2

Н3=7,9±0,2

Разделительная область

Р

ВВr3

Н4= 10±0,2

Базовая область

р* р**

ВВr3

Н5=1,65±0,1

Способ формирования

Из слитка марки КДБ 10, который получают направленной кристаллизацией на затравку из объема расплава Диффузия

Осаждение из газовой фазы (хлористый метол) Диффузия (для ИС), сочетание 90±8 ионного легирования и диффузии (для БИС) Диффузия (для 180±10* ИС), сочетание 110±10** ионного легирования и диффузии (для БИС ) 2500±5

64

Продолжение таблицы П2.1 Эмиттерная область Слой металлизации

Изолирующий слой SiO2 Пассивирующий слой ФСС Вертикальный слой ** SiO2 межслойная изоляция

n

РО С1 3

Н6=1,2±0,1

2±0,5

-

Сплав Al+l,2% Si

Н7=0,6±0,1 1,0±0,1***

-

-

Сухой О2 пары воды

Н8=0,8±0,05*

-

-

SiH4, PH

Н9=0,7±0,05

-

n

РОС13

Н10=6,8±0,2

45±5

n

Si(OC2H5)4 O2

Н11=1,0±0,1

-

* дляИС ** для БИС *** для второго слоя металлизации

Диффузия Нанесение в вакууме, например, методом ионноплазменного распыления Термическое окисление пластин кремния Осаждение из газовой фазы (пиролиз) Диффузия Плазмохимическое осаждение

Приложение 3 Основные операции технологического маршрута изготовления структуры ИС на биполярных транзисторах (изделие 1 - 133ЛАЗ)

Таблица ПЗ № п/п

Операция

Контролируемые параметры технологической среды

Контролируемые параметры объекта производства

Материалытехнологических и защитных сред

Химическая обработка пластин кремния (типа КДБ 10)

Время t обработки в разных средах, температура Т технологической среды (ТС)

Внешний вид пластин после очистки (по количеству светящихся точек в темном поле микроскопа)

Толуол, смесь Каро1, перекисно-аммиачная смесь, вода деионизованная марки А, кислота фтористо-водородная, спирт этиловый ректификованный; батист отбеленный мерсеризованный

Линия «Лада - Электроника» для химической обработки; микроскоп, например, типа НУ-2Е

T.t, Мг 2

Толщина окисла

Кислород газообразный, азот газообразный, вода деионизованная марки А, 10%-ная HF, фильтр обеззоленный, батист отбеленный мерсеризованный

Печь диффузионная типа ДОМ, прибор для измерения толщины окисла, например, эллипсометр

1

2

Окисление пластин кремния (выращивание Si O2) по системе: сухой O2 -пары воды - сухой O2 при Т= 1050 °С

Технологическое оборудование

3 Фотолитография 1

для вскрытия окон под диффузию сурьмы а) подготовка поверхности пластин; б)нанесение фоторезиста (ФР) в) сушка слоя ФР г) совмещение и экспонирование д) проявление ФР е) задубливание ФР ж) травление Si O2 з) удаление ФР

T, t, M ж 3 С4 , nu

Внешний вид, линейные размеры

Смесь Каро - это смесь H2 SO4 и H2O2 2 3

Mr - расход газов

Мж - расход жидких химических реактивов. с - доза фоторезиста при нанесении. nц- число оборотов центрифуги в минуту. 6 Гексаметилдисилазан - адгезив для фоторезиста 4 5

Фоторезист позитивный ФП-РН-7, 6 диметилформамид, гексаметилдисилазан , травильны й раствор (для травления Si O2), раствор для проявления (0,6%- ная КОН), вода деионизованная марки А, смесь Каро, спирт этиловый ректификованый, фильтр обеззоленный, батист отбеленный мерсеризованный

Линия фотолитографии «Лада-Электроника»

Продолжение 1 таблицы ПЗ Контролируемые параметры технологической среды

№ п/п

Операция

4

Диффузия сурьмы для формирования скрытых n -слоев а) первая стадия диффузии (заго нка примеси) п ри Т=1150°С б) удаление сурьмяносиликатного стекла в) вторая стадия диффузии (разгонка примеси в глубь полупроводника) при Т= 1200°С

T, t, M r

5

Удаление Si O2с поверхности пластин (после диффузии сурьмы)

T,t


Материалы технологических и защитныхсред

Внешний вид, удельное поверхностное сопротивление ps, глубина залегания р-n перехода Xj

Азот газообразный( или аргон), сурьма кристаллическая, раствор для выявления р-n перехода, травильный раствор, спирт этиловый ректифированный, вода деионизированная марки А, батист отбеленный мерсеризованный, фильтр обеззоленный, алмазная паста (на основе тонкого микропорошка)

Печь диффузионная типа ДОМ, установка для измерения ps·(четырехзондовая) типа ЦИУС, микроскоп типа МИМ-7, приспособление для получения шарового шлифа, модуль для травления пластин линии химической обработки «Лада-Электроника»

Травитель (65%-ная HF), вода деионизованная марки А, батист отбеленный мерсеризованный

Модули линии фотолитографии «Лада-Электроника»

Внешний вид


ON -J

ON

oo

Продолжение 2 таблицы ПЗ № п/п

6

7 8

Операция

Эпитаксиальное наращивание слоя кремния n - Si при Т= 1200°С

Окисление пластин кремния по системе: сухой О2 - пары воды сухой О2 при Т=1100°С Фотолитография 2 для вскрытия окон под диффузию бора (перед формированием разделительных областей): а) - з) аналогично

Контролир уемые параметры технологич еской среды

T, t, Mг

Контролируемы е параметры объекта производства

Толщина эпитаксиального слоя, удельное объемное сопротивление

pv ПЛОТНОСТЬ дислокаций (дефектов упаковки линии скольжения)



Тетрахлорид кремния, водород газообразный, азот газообразный, хлор газообразный, травитель для выявления дислокаций, вода деиони зованная марки А, батист отбеленный мерсеризованный

Установка эпитаксиального наращивания типа «Эпиквар», установка измерения удельного объемного сопротивления ЦИУС, многолучевой интерферометр типа МИСС. микроскоп типа

Аналогично операции 2 Аналогично операции 3

Продолжение3 таблицы ПЗ № п/п

Операция

9

Диффузия бора для формирования разделительных р-областей: а) первая стадия диффузии (загонка примеси) при Т=950°С б) удаление боросиликатного стекла (БСС) и SiO2 в) вторая стадия диффузии (ра з гонка пр имеси) с одновременным окислением пластин по системе cухой O2 - пары воды - сухой O2 при Т=1150°С

Контролируемые параметры технологической среды T, t, Mг

Контролируемые параметры объекта производства Внешний вид. Ps, X,j

Материалытехнологических и защитных сред Трехбромистый бор, азот газообразный, кислород газообразный, раствор для выявления р-n перехода, травильный раствор, спирт этиловый ректификованный, вода деионизоваи ная марки А, батист отбеленный мерсеризованный

Технологическое оборудование Аналогично операции 4

о


10

Операция



Фотолитография 3 для вскрытия окон под диффузию бора(перед формированием базовых р-областей а)-з)аналогично операции 3

Материалы технологических и защитных сред

Анал огично операции 3

И

Диффузия бора для формирования базовых р-областей а)первая стадия диффузии (загонка примеси) при Т =950 °С; б)удаление БСС в)вторая стадия диффузии (разгонка примеси в сухом О2) при Т=115б"С


12

Фотолитография 4 для вскрытия окон под диффузию фосфора: а)-з)аналогично операции 3


13 Диффузия фосфора для формирования эмиттерных и приконтактных коллекторных n+-областей: а) первая стадия диффузии (загонка примеси) при Т= 1000°С; б)термообработка в сухом кислороде при Т=1000°С


T,t,Mг

Внешний вид,

X

Ps, J

Хлорок ись фосфора РОСl 3, кислород газообразный, травильный раствор, спирт этиловый ректификованный, батист отбеленный мерсеризованный

Печь диффуз ионная типа ДОМ, установка для измерения ps (четырехзондовая) типа ЦИУС, микроскоп типа МИМ-7, модуль (для травления пластин из линии химической обработки «Лада-Электроника»


Операция

14

Фотолитография 5 для вскрытия окон под контакты к элементам ИС: а) - з)аналогично операции 3

15

Нанесение в вакууме слоя металлизации

16

Фотолитография по слою металлизации для формирования коммутации элементов ИС: а) - е), з) аналогично операции 3 ж) травление слоя

Контролируемые Контролируепараметрытехно- мые параметры логическойсреды объекта производства

Материалы технологических и защитных сред


Аналогично операции 3 ps параметры, определяющие режим осаждения слоя металлизации

Аналогично операции 3

Внешний вид, толщина слоя металлизации

Мишень из сплава А1 - 1.2 % Si, аргон газообразный, азот жидкий, сжатый воздух

Установка вакуумного напыления «Оратория5»,многолучевой интерферометр типа МИСС

Внешний вид, линейные размеры, ВАХ по тестовым структурам

Фоторезист позитивный ФП-РН-7, диметилформамид, гексаметилдисилазан, травильный раствор (для травления сплава Al -Si), раствор для проявления, вода деионизованная марки А, спирт этил овый ректификова нный, фильтр обеззолен ный, батист отбеленный мерсеризованный

Линия фотолитографии «Лада-Электроника», микроскоп типа УИМ-25.1, специальн ый стенд с многозондовой головкой для измерения ВАХ


Операция

Осаждение из газовой фазы (или пиролитическое) пас-

17 сивирующего слоя ФСС


T, t, Mг

при Т=450°С

18

19

20

Фотолитография 7 в слое ФСС для вскрытия окон к [контактным площадкам ИС: а)-з) аналогично операции 3 Термообработка пластин для вжигания металлизации при Т=450°С


Внешний вид,

hФСС


Фосфин РНз, моносилап Si H газообразный, кислород газо ный, спирт этиловый ректи ванный, батист отбелен ны серизованный

4, аргон образфикой мер-

Установка типа «Изотрон», интерферометр типа МИИ-4

Аналогично операции 3

T, t, Mг Выходные параметры измерительных установок

Внешний вид

Азот газообразный

Краска маркировочная, спирт этиловый рект ификован ны й, батист отбеленный мерсеризованн ый Электрические параметры ИС - статические и динамические по техническим условиям

функциональный контроль и разбраковка ИС


Электрические 7 параметры ИС

Печь ди ффузионная типа ДОМ, м [икроскоп типа НУ-2Е Измерил ильные установКИ ДЛЯ I сонтроля и разбраковк иИС

Приложение 4. Виды и причины наиболее типичных дефектов на операциях технологического маршрута изготовления пластин и структур полупроводниковых микросхем на биполярных_транзисторах Таблица П.4 Операция Виды дефектов

Причины дефектов

Примечания

Резка слитка кремния на пластины

Неплоскостность отрезаемых пластин более допустимой (а)* ; сколы, трещины (на поверхности пластины) с размерами более допустимых (б); геометрические параметры и глубина нарушенного слоя поверхности пластины не соответствуют допустимым (в); отклонение от кристалл ографическ ой о риента ции более допустимого (г)

Изменение режущего инструмента в процессе резки (а), увеличение радиального биения режущей кромки более допустимого (б); неоптимально выбраны режимы резания (такие как скорость резания, рабочая подача слитка и расход смазочноохлаждающей жидкости) (в); неточность разв орота оп равки от носительно режущего инструмента (г)

Шлифование пластин кремния

Дефекты геометр ическо й формы пластины (неплоскостность, непараллельность сторон, прогиб, разброс по толщине) б олее допусти мых (а), наличие сколов на кромках пластин (б)

Прич ины дефектов указаны для резки слитков алмазным кругом с внутренней режущей кромкой, Для слитков Диаметром более 150 мм применяют резк у алма з но й ле нто чн ой пи ло й, реж ущу ю кромку которой изготавливают либо по всей протяженности ленты, либо в виде отдельных сегментов. Последнее, как и сам способ реализации резк и, в этом случае при определенных условиях существенно влияет на качество пол учаемых пластин. После резки слитка шероховатость поверхности пластин составляет 2,0-3 ,Омкм В случае крепления пластин к шлифовальной головке(при шлифовании несвободным абразивом) причиной дефектов могут быть также неравномерность толщины клеящего слоя, недопустимый разброс толщин одновременно шлифуемых пластин и др. После шлифования шероховатость пластин составляет 0,2 - 0,5 мкм

Из нос шли фоваль ник ов более д опустимого (а), нарушение режима шлифования (рабочего давления на пластины, скорости вращения шлифовальника, постоянства температуры в зоне шлифования либо постоянства вязкости абразивной суспензии во времени) (а. б); отсутствие контроля состояния сепараторов, удерживающих пластины при шлифовании (б) *Обозначения в скобках следует понимать: дефект (а) в графе "Виды дефектов" вызван причиной (а) в графе "Причины дефектов" и т.д.

Продолжение 1 таблицы П4 Операция Виды дефектов



Полирование пластин

Геометрические параметры пластин (диаметр, толщина, длина базово го среза, непараллельность сторон, плоскостность, проги б) не соответствуют допустимым (а), отклонение от кристалло граф ической ориентации более допустимого (б); количество и суммар ная дли на рисок б олее доп устимых (в); количество частиц загря знен ий на пласти не бо лее допустимого (г)

Хим ичес кая обработка пластин

Остатки загрязнении в виде разводов, пятен, подтеков и т.д. (а); количество точечных инородных включений (в том числе адсорб ирова нны х) более до пуст им о го (б ), к ол ич еств о гидроф обных загря знен ий бо лее допустимого (в)

Из нос по ли роваль н ика б олее Структурные нарушения, вносимые абразивной обработдопустимого; неплоскостность кой (поверхностный рельеф, трещины, пластически дефорустано вки по ли рова льн ика мированные области и т.д.), выявляются и минимизируются (либо план -шайбы ) бо лее до- на этапе отработки данной технологической операции. Шероховатость поверхности пластин после финишного (химипустимой (а, б); внесение и но- ко-механического) полирования составляет менее 0,05 мкм родных частиц и пузырьков воздуха под пластину при ее наклеивании на план-шайбу (а, б), наличие уп лотненны х за грязнен и й на по верх но сти п ол ировальника (а, б); нестабильность (снижение) температуры при финишном полировании (в); наличие структурных нарушений (г) Нар уше ние ре жи мов фи - Степень чистоты поверхности пластин после очистки в услонишной пром ывки проточно й и виях производства определяется количеством светящихся де ио н и зов ан н о й в од о й и точек в поле зрения мик роскопа( обыч но в темном поле сушки пласт и н (а); нека че- при косом ственная отмывка в кислотных освещении); наличие жировых) ( гидрофо бных) за гряз немоющих растворах (б); нару- ний оценивают по времени смачиваемости (либо углу шение реж имов оч истки в смачивания) поверхности пластины. Очистка - многократно непо ляр ном ор ган ическ ом повторяющаяся операция на разных этапах изготов растворителе и пр омежуто ч- ления микросхем, поэтому оч истительные среды мо гут ной промывки (в) быть разными в зависимости от типа загрязнений, вносимых и остающихся а предыдущей операции

Продолжение 2 таблицы П4 Операция

Виды дефектов



Диффузия Величина боковой диффузии более допримесей в пустимой (а), наличие эрозии (б); некремнии равн омер ност ь ди ффу з ио нн ого фронта по глубине более допустимой (в); образование промежуточных фаз на поверхности диффуз ионных областей (г); значения ps ,x, и их разброс по пластине не соответствуют допустимым (д)

Скопление дислокаций в при поверхностном слое (а, в, д), завышение расхода диффузанта в технологической среде при отсутствии кислорода (б, в, г); неоптимальный температурно-време нно й режим про цесса диффуз и и

На грани цах диффу зио нных облас тей пр и высок ом ур овне ле гиро вания возможно появление некон турных дислокаций несо-ответствия, краевые и винтовые дислокации возможны, если уровень напряжений кристаллической решетки (из-за различия размеров атомов примеси и полупроводника) превышает предел текучести материала, микродефекты и линии скольжен ия выявляют селективным травлением и определяют и х среднюю плотн ость по подсчетам числа микродефектов в нескольких полях зрения микроскопа; структурные дефекты обычно выявляют и минимизируют пр и отработке технологического процесса

Эпитаксиальное наращивание слоя кремния

Наличие на поверхности пластины различного рода загрязнений, механических нарушений , и т.д. (а, б), кристаллографическое несоответствие разная степень легирования пластины и эпитаксиальной пленки, а также высокий уровень механических и термических напряжений (а, б); несоблюдение режима процесса эпитаксии (а,б)

Плотн ость дефектов упаковки и дислокаций более до пустимой (а), значен ия р, и то лщин ы эп итаксиально го сло я не соответств уют допустимым (б)

Продолжение З таблицы П4 Операция Виды дефектов



Термическое окисление пластин

Толщина окисла не соответствует задан ной (а); нали чие матовости в пленках Si O2 (б), наличие разводов, инородных включении (в)

Нарушение температурно-временных режимов процесса окислен ия (а), повышенная дефектность исходной пластины (б, в); несоблюдение чистоты проводимого процесса (в частности, технологической среды) (б, в)

Фотолитография по слою SiO2

Несов мещен ие то пол о ги ческо го рисун ка более доп устимо го (а); нарушения геометрии топологических элементов более д опуст имых ( б), наличие недотравленных участков SiO2 в зонах травлен ия (в); налич ие макродефектов (царапин и др.) в слое Si O2 (г), растравливание краев окисла (ширина клина травления ) более допустимого ( д), уход ли ней ных разме ров топологических элементов более допустимого (е), воспроизводимость размеров контролируемых элементов не соответствует заданной точности (ж)

Сбой в раб оте системы ко нтроля точ ности совмещения (либо ошибка оператора) (а), дефекты фотошаблона либо загрязнения (б, в, г), нарушение технологии процесса травления (б, в, д); недопустимо большой зазор между фотошаблоном и пластиной (д, е); нарушение режима проявления (д, е), недостаточная адгезия фоторезиста к пластине (е, ж); разброс по толщине слоя фоторезиста более допустимого (ж), п остор он ние вк л ючен ия в слое фоторезиста (в, е, ж)

Другие дефекты, например, повышенную пористость, недопустимые электрофизические характеристики границы раздела Si -Si O2:, линии скольжения, коробление пластин контролируют и устраняют на этапе отработки технологического процесса При температуре задубливания более 145 °С вслое фоторезиста происходят термореактивные превращения, в рез ультате кот оры х о н теряе т способность растворяться в органических растворителях, что усложняет удаление использованной маски





Ионное легирование кремния с последу ющей термообработкой Вакуумное напыление слоя металлизации

Локально амортизированные участки в легированных областях (а); удельное поверхностное сопротивление не соответствует допустимому (б)

Энергия ио нн ого пуч ка превышает требуе - Другие дефекты, например, скоплемую (а), до за облу чения и плот ность тока ния ва канс ий, дисл окац и и и т.д. ионно го п учка не соответствую! доп устимым обнаруживают с помощью электронзначениям (б) ной микроскоп ии л ибо рентге ноструктурного анализа на этапе отработки технологических режимов ионного легирования

Разброс по толщине слоя металлизации и ps не соответствуют допустимым (а), структура пленки не соответствует эталонной (б), адгезионная прочность менее доп устимой (в); пятна, разводы, инородные вкл ючения, п устоты, царап ины с ра змерами более до пусти мых на едини цу площади п ластины ( г)

Наличие за грязне нии и дефектов на пластине Причины появления дефектов при перед напылением (а, б, в, г), остаточное давле- вакуумном напылении мо гут также ние в рабочей камере выше допустимого (а, б, быть связаны со способом переноса в), наличие градиентов температуры по поверх- материала металлизации и специфиности пластины (а, б, в); неоптимально выбрана скорость оса жде ния (а. б, в), нео пти маль - кой конструкции рабочей камеры ны энергия и плотность молекулярного потока (а, б. в, г)





Фотолитография по слою металлизации

Геометрические размеры проводящих э леме нт ов не со отв етств у ют д опустимым (а), "перемычки" между элементами металлизации (недотравленные участки) с размерами более доп устим ых ( б), нес овмеще ние элементов металлизации с контактными ок нами и др у гим и элеме нтами структу ры м ик росхе мы б олее д опустимого (в), пустоты или царапины с размерами более допустимых на элементах металлизации (проводящих дорожках, контактных площадках и т.д.) (г), признаки коррозии отслаивания элементов металлизации(д)

Нарушение режима задубливания фоторезиста (недостаточная его адгезия к проводящему слою) (а): неправильное соотношение компонентов в травителе либо нарушение режима травления (а, б);протекание электрохимических процессов в системе А1 - Si - травитель (д); некачественное проявление (а, г); дефекты фотошаблона (а, б, г); увеличение межоперационного времени хранения (д), наличие локальных загряз нении и инородных включений, внесенных на начальных операциях фотолитографии и (или) перед напылением проводящего слоя (д), отсутствие должного контроля точности совмещения (в)

При вып олнен ии фотол итограф ии особое зна чение имеет чистота атмосферы производственного помещения. Требуется (не хуже 10 или 100 классов чистоты, так как осаждение загрязнении (посторонних частиц) из атмосферы на объект производства и фотошаблон приводит к переносу и суммированию дефектов после экспонирования фоторезиста и до завершения технологического цикла


Видыдефектов

Причиныдефектов

Осаждение межслойного диэлектрика и защитного покрытия

Разброс по тол- Наличиеповышенных температурных градиентовна осажщине слоя более даемой поверхности в процессе формирования данных допустимого (а), покрытий (а, б); несоблюдение технологии (а, б); отпустоты, царапины, сутствие контроля чистоты материалов технологических каналы, кристалли- сред(б) ческие включения, инородные включения с размерами более допустимых на единицу площади пластины(б)

Параметры,характеризующиеизолирующие ипассивирующие свойства диэлектрических покрытий, оценивают и стараютсяих оптимизировать при отработке технологий осаждения диэлектрических покрытий

Функциональный контроль микросхем

Функциональные параметры микросхемы не соответствуют заданным по техническим условиям

Для повышения качества готовых структур микросхем обычно осуществляют межоперационный (промежуточный) контроль (при изготовлении структуры ИС или БИС) по тестовым элементам микросхемы, на которых измеряют ВАХс применением измерительных установок, оборудованных специальнымизондовыми головками. По виду ВАХ можно не только выявлять и классифицироватьдефекты, но и судить о настроенности иотработанности всего технологического процесса изготовления

Проявление в присутствии электрического поля эффектов типа: электромиграции частиц алюминия, дрейфа ионов инородных примесей туннелирования, разрастания кристаллитов, например, алюминия, и др., приводящих к утечкам тока в диэлектриках и р-n переходах, к проколу р-n переходов, разрывам разводки в элементах, повышению контактного сопротивления, коротким замыканиям между уровнями металлизации идр. Появление структурных дефектов в полупроводнике врезультате влияния градиентов температуры и механических напряжений,что приводит к появлениюдополнительных энергетических уровней в запрещеннойзоне и соответственно кнеуправляемому изменению проводи мости, времен и жизни, генерации и рекомбинацииносителей заряда


80

Приложение 5. Конструктивно-технологические ограничения при конструировании ИМС на биполярных транзисторах, выполненных попланарно-эпитаксиальной технологии с использованием изоляции р -n переходом Таблица П5 Минимально допустимые размеры, мкм Ширина линии скрайбирования слоя ................................. 60 Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя металлизации или до края диффузионной области.......... 50- 100 Размер контактных площадок для термокомпрессионной приварки проводников d1 ......................................................... 100x100 Расстояние между контактными площадками d2................................................70 Размер контактных площадок тестовых элементов рабочей схемы ....................................................................................... 50x50 Ширина проводника d3: при длине ≤ 50 мкм....................................................................4 при длине ≥ 50 мкм .................................................................. 6 Расстояние между проводникамиd4: при длине ≤50 мкм.....................................................................3 при длине ≥50 мкм ...............................................................4 Ширина области разделительной диффузии d5........................................................4 Расстояние от базы до области разделительной диффу зии d6 .. 10 Расстояние между краем области подлегирования коллекторного контакта и краем разделительной области d7 ............................................................................... 10 Расстояние+между краем разделительной области и краем скрытого n -слоя d8 ................................................................... 10 Расстояние между краем контактного окна в окисле к коллектору и краем базы d9 ....................................................... 7 Расстояние между краем контактного окна в окисле к базе и краем базы d10 .................................................................. 3 Расстояние между эмиттерной и базовой областями d11.......................3 Расстояние между краем контактного окна в окисле к эмиттеру и краем эмиттера d12........................................................................................................3 Расстояние между контактным окном к базе и эмиттером d13 ........................................................................ 4 Расстояние между базовыми областями, сформированными в одном коллекторе................................................................. 9 Расстояние между эмиттерными областями, сформированными в одной базе............................................. 6

81

Расстояние между контактны м окном к коллектору и областью разделительной диффузии d14........................................................................10 Размеры контактного окна к базе d 1........................................................................................4x6 Размеры контактного окна к эмиттеру d 16...........................................................................4 х 4 или 3x5 Ширина области подлегирования n+- слоя в коллектореd17 ............................................................................... 8 Ширина контактного окна к коллектору d 18.......................................................................4 Ширина резистора d19......................................................................................................................................5 Размеры окна вскрытия в окисле................................................... 2,5x2,5 Перекрытие металлизацией контактных окон в окисле к элементам ИМС d20..............................................................................................................................................2 Расстояние от края контактного окна к р+- разделительным областям для подачи смещения до края областиразделения d 21....................6 Расстояние от края контактного окна к изолированным областям n-типа для подачи смещения до края области разделения d22......................................................................................................................................6 Ширина диффузионной перемычки ................................................ 3 Размер окна в пассивирующем окисле d23................................................................................100x100 Расстояние от края окна в пассивации до края контактной площадки d 24 .................................................................................6 Расстояние между соседними резисторами d 25....................................................................7 Расстояние между диффузионными и ионно-легированными резисторами .................................................................................. 4 Расстояние между контактной площадкой и проводящей дорожкой d26......................................................................................................................................................................20 Ширина скрытого n+- слоя.............................................................4 Расстояние между контактными площадками тестовых элементов.....................................................................................40

82

Приложение 6 Типичные характеристики интегральных полупроводниковых резисторов Таблица П6 Тип резистора

1. Диффузионный на базовомслое 2. Диффузионный на эмиттерном слое 3. Пинч-резистор 4. На эпитаксиальном слое 5. Ионно- легированный р-типа

Толщина, мкм

2,5 - 3,5

Удельное поверхностное электрическое сопротивление Ps ,Ом/ 100 - 300

1,5-2,5

Погрешность ТКС, -1 αR, град номинала сопротивления γR,%

Удельная паразитная емкость Соп , пф/мм2

±(10-2 0)

±(0,5-3)·10-3

150-350

2 -5

±(10- 20)

±(1-5)·10-3

(1-1,5)·103

0,5-1,0 7 -1 0

(2-15)·103 (0,5-5)-103

±50 ±(15-2 5)

±(1,5-3)·10-3 ±(2-4)·10-3

(1-1,5)·103 80-100

0,1-,2

(0,5-1)·103

±(15- 20)

±(1,5-5)·10-3

200 - 350

83

Б ИБ ЛИОГРАФИЧЕСК ИЙ СПИСОК 1. Конструирование и технология микросхем, курсовое проектирование/ Под ред. Л.А. Коледова. - М: Высш. шк, 1984 2. Матсон Э.А. Конструирование и технология микросхем. - Минск: Высш. шк, 1985 3. Матсон Э.А.,Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. - Минск: Высш. шк, 1982 . 4. Алексеенко А.Г., Шадрин И.И. Микросхемотехника. - М.: Радио и связь, 1990. 5. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование микросхем. - М.: Радио и связь, 1983. 6. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1983. 7. Коледов Л.А., Патрик Н.И. Конструирование и технология полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах. Уч. пособие. - М.: Изд-во МИЭТ, 1983, 8. Симонов Б.М., Заводян А.В., Грушевский A.M. Конструкторско - технологические аспекты разработки ИС и микросборок. Уч. пособие. - М.: Изд-во МИЭТ, 1998.

Учебное издание РОМАНОВА МаргаритаПетровна Проектирование и технология микросхем Учебное пособие Подписано в печать 27.10. 2005. Формат 60 х 84/16. Бумага офсетная. Печать трафаретная. Усл. печ. л. 5,12. Уч.- изд. л. 5,00. Тираж 150 экз. Заказ 1071, Ульяновский государственный технический университет 432 027 г. Ульяновск, ул. Сев. Венец, д. 32. Типография УлГТУ, 432027, г. Ульяновск, ул. Сев. Венец, д. 32.

Проектирование и технология микросхем: Учебное пособие

Recommend Documents